1) Cu-AlN bicrystal
Cu-AlN双晶体
2) AlN/Cu dual layer films
AlN/Cu双层膜
3) copper bicrystal
Cu双晶
1.
The dislocation pattern evolution and crack nucleation in a fatigued copper bicrystal with perpendicular grain boundary (GB) have been investigated by electron channelling contrast (ECC) technique in SEM.
采用电子通道衬度技术对垂直晶界Cu双晶在疲劳过程中位错组态的演化与裂纹的形核进行了研究,结果表明,形变带中墙结构的间距从形成之初到疲劳裂纹出现始终保持恒定;穿晶裂纹与沿晶裂纹尖端的位错组态均为胞结构;裂纹优先从形变带产生。
2.
The fatigue cracking behavior and mechanisms in three types of [34] iso-axialcopper bicrystals have been studied by using scanning electron microscopy (SEM).
用扫描电镜（SEM）研究了一种垂直晶界和两种倾斜晶界Cu双晶的疲劳开裂行为及其机制。
4) double crystal
双晶Cu
1.
In order to study the initial plastic of polycrystalline materials, molecular dynamics simulations are carried out on the tension and nanometer-indentation process of double crystal copper.
为了研究多晶材料的初始塑性行为,本文以分子动力学为主要研究手段,模拟了双晶Cu的三维拉伸以及纳米压痕过程,并开展了双晶Cu的纳米压痕实验,分析了晶界对材料的微观塑性变形机制及力学性能的影响。
5) copper single crystal
Cu单晶体
1.
The saturation dislocation microstructures in a [013] orientated copper single crystal during fatigue in air and NaCl aqueous solution were observed by electron channeling contrast (ECC) technique in SEM and TEM.
利用扫描电镜电子通道衬度技术(SEM-ECC)和透射电子显微镜(TEM)对[013]取向Cu单晶体在空气中和NaCl水溶液中疲劳到饱和的位错结构进行观察。
6) crystal Cu
晶体Cu
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
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参考词条