1) GaAs/GaAlAs/GaAs/Si structure
GaAs/GaAsAl/GaAs/Si结构
2) GaAs microstructure
GaAs微结构
3) GaAs based microstructure materials
GaAs基微结构材料
4) Heterogeneous Structure of Metal/GaAs
金属/GaAs异质结构
5) Undoped SI GaAs
不掺杂SI-GaAs
6) GaAs tunnel junction
GaAs隧道结
补充资料:GaAs epitaxial wafer
分子式:
CAS号:
性质:在特定晶向[(100)或(100)偏向最近<110>2 ~5 的晶面]砷化镓衬底上外延生长的单晶薄层材料外延工艺有LPE、VPE、MOCVD、MBE、CBE、ALE等工业选择取决于器件结构等因素,一般LPE、VPE多用于商品化器件,如光探测器、霍尔器件等。MBE、CBE、ALE多用于最子阱超晶格材料。MOCVD两方面兼而有之。
CAS号:
性质:在特定晶向[(100)或(100)偏向最近<110>2 ~5 的晶面]砷化镓衬底上外延生长的单晶薄层材料外延工艺有LPE、VPE、MOCVD、MBE、CBE、ALE等工业选择取决于器件结构等因素,一般LPE、VPE多用于商品化器件,如光探测器、霍尔器件等。MBE、CBE、ALE多用于最子阱超晶格材料。MOCVD两方面兼而有之。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条