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1)  GaAs/GaAlAs/GaAs/Si structure
GaAs/GaAsAl/GaAs/Si结构
2)  GaAs microstructure
GaAs微结构
3)  GaAs based microstructure materials
GaAs基微结构材料
4)  Heterogeneous Structure of Metal/GaAs
金属/GaAs异质结构
5)  Undoped SI GaAs
不掺杂SI-GaAs
6)  GaAs tunnel junction
GaAs隧道结
补充资料:GaAs epitaxial wafer
分子式:
CAS号:

性质:在特定晶向[(100)或(100)偏向最近<110>2 ~5 的晶面]砷化镓衬底上外延生长的单晶薄层材料外延工艺有LPE、VPE、MOCVD、MBE、CBE、ALE等工业选择取决于器件结构等因素,一般LPE、VPE多用于商品化器件,如光探测器、霍尔器件等。MBE、CBE、ALE多用于最子阱超晶格材料。MOCVD两方面兼而有之。

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