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1)  mixed interaction effects model of two way classification
双向分类混合交互效应模型
2)  random interactive effccts model of two-way classification
双向分类随机交互效应模型
3)  two way classification model with random effects
双向分类随机效应模型
4)  One-way classification random effect model
单向分类随机效应模型
5)  partitioned mixed-effects linear model
分块混合效应模型
1.
For a class of partitioned mixed-effects linear model, a reduced model is introduced in order to obtain the best feasible linear unbiased estimator of a sub-vector of fixed effects.
研究一类分块混合效应模型中部分固定效应向量的估计问题 ,为得到其可行的最佳线性无偏估计 ,提出了一种减约模型 ,并给出了由此减约模型得出的可行估计等于原模型下相应的最佳线性无偏估计的充分必要条件 ,并以实例说明文中结果。
6)  two-way model
双向分类模型
1.
In this paper,we construct firstly the interval estimates of variance components in the two-way model,depending on corresponding sums of squares from the analysis of variance.
本文首先给出了随机双向分类模型中方差分量基于由方差分析产生的平方和的区间估计。
补充资料:场效应晶体管的分类方法以及基础知识介绍

场效应晶体管(FET)简称场效应管,它属于电压控制型半导体器件,具有输入电阻高(108~109Ω)、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。


    场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管(JFET)因有两个PN结而得名,绝缘栅型场效应管(JGFET)则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中,应用最为广泛的是MOS场效应管,简称MOS管(即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET);此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管,以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。


    按沟道半导体材料的不同,结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分,场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。

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