1) sub-micrometer etch
亚微米刻蚀
2) submicron photolithography
亚微米光刻
1.
Optical proximity correction for improving pattern quality in submicron photolithography;
光学邻近校正改善亚微米光刻图形质量
3) submicron lithography
亚微米光刻
1.
In order to study the feasibility of submicron lithography using second harmonic light of a copper vapor laser(CVL), a 1∶1 catadioptric projection lens, and an illumination system which consists of a rotating diffuser and a ligth pipe, are designed and constructed.
３ｎｍ的铜蒸气激光倍频光在亚微米光刻中的可行性，设计了带宽为１ｎｍ的１１折反射式投影光刻物镜和一个带散射板的光管式均匀照明系统，获得了０。
2.
Experimental results of deep submicron lithography with a excimer laser are reported in this paper.
报道用远紫外准分子激光进行亚微米光刻的实验结果。
4) Sub-half micron lithography
亚半微米光刻
5) Deep submicron lithography
深亚微米光刻
6) nanolithography
纳米刻蚀
1.
Applications of Scanning Probe Microscopy in Nanolithography on Alkanethiol Self-assembled Monolayers;
扫描探针显微术在巯醇自组装单分子膜纳米刻蚀中的应用
2.
The combination of scanning probe micronoscopy(SPM) nanolithography and selfassembly method has made it possible to fabricate not only planned functional nanostructures on solid substrate,but also the complex architectures with well controlled over a wide range of length scales and nanodevice.
本文在简单介绍扫描探针加工技术和分子自组装膜制备的基础上,总结了原子力显微镜纳米刻蚀和分子组装相结合的最新进展,并着重介绍了具有广泛应用前景和研究进展的构筑纳米刻蚀法和蘸笔水刻蚀法。
补充资料：电化学刻蚀
分子式：
CAS号：
性质：也称电解浸蚀。在一定的电解液中，采用电化学原理选择性地除去某种金属(或半导体)的过程。可外加电压(为电刷镀的逆过程)或不外加电压(化学刻蚀)。影响电化学蚀刻的因素有电场强度和频率、探测器厚度、蚀刻液浓度和径迹倾角等。化学刻蚀法使用较多，例如在印刷电路板的制作中，通过如下反应：Cu→Cu2++2e-(阳极) ；2Fe3++2e-→2Fe2+(阴极)。按预作保护的图样除去绝缘基板上的铜覆盖层。在微电子装置的制作中，对半导体(如硅)选择性地刻蚀是关键步骤。常用的刻蚀剂有CuCl2，FeCl3，H2CrO4，NH4Cl，H2O2-H2SO4等。
CAS号：
性质：也称电解浸蚀。在一定的电解液中，采用电化学原理选择性地除去某种金属(或半导体)的过程。可外加电压(为电刷镀的逆过程)或不外加电压(化学刻蚀)。影响电化学蚀刻的因素有电场强度和频率、探测器厚度、蚀刻液浓度和径迹倾角等。化学刻蚀法使用较多，例如在印刷电路板的制作中，通过如下反应：Cu→Cu2++2e-(阳极) ；2Fe3++2e-→2Fe2+(阴极)。按预作保护的图样除去绝缘基板上的铜覆盖层。在微电子装置的制作中，对半导体(如硅)选择性地刻蚀是关键步骤。常用的刻蚀剂有CuCl2，FeCl3，H2CrO4，NH4Cl，H2O2-H2SO4等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条