1) Resist development
抗蚀剂显影
2) development of photoresist
光致抗蚀剂显影
3) resist
[英][rɪ'zɪst] [美][rɪ'zɪst]
抗蚀剂
1.
Minimize the diffraction influence by resist process optimization in X-ray lithography;
优化抗蚀剂的预烘工艺减小衍射对X射线光刻的影响
2.
Research Progress on EUV Photoresist
EUV光致抗蚀剂研究进展
3.
This article presents the development,main resist system and reaction mechanism of EB resist in last ten years In addition,the future directio n of EB resist is illuminate
本文综述了近 10年来电子束化学增幅抗蚀剂的概况、主要组成、成像反应机理及电子束抗蚀剂的发展方向。
4) photoresist
[,fəutəuri'zist]
抗蚀剂
1.
Photosensitivity of hyperbranched polymer photoresists;
超支化聚合物抗蚀剂的感光性能
2.
Photoresist for electron beam lithography is introduced.
文中重点介绍电子束曝光系统、电子束抗蚀剂以及电子束曝光技术的应用。
5) ZEP520 resist
ZEP520抗蚀剂
6) picling inhibitor
抗酸蚀剂
补充资料：X射线抗蚀剂
分子式：
CAS号：
性质：采用软X射线（波长0.4～5nm）作为曝光源的抗蚀剂。由于X射线波长较紫外波长短两个数量级，几乎没有衍射的干扰，而且因其能量比电子束小得多，可以获得高分辨率，X射线对尘埃的透过性好，曝光工艺的缺陷率就低。所有的电子束抗蚀剂均可作X射线抗蚀剂。
CAS号：
性质：采用软X射线（波长0.4～5nm）作为曝光源的抗蚀剂。由于X射线波长较紫外波长短两个数量级，几乎没有衍射的干扰，而且因其能量比电子束小得多，可以获得高分辨率，X射线对尘埃的透过性好，曝光工艺的缺陷率就低。所有的电子束抗蚀剂均可作X射线抗蚀剂。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条