1) gain mismatch bounds
增益失配界
1.
This paper deals with stability and gain mismatch bounds analyais for a class of second-order systems which are controlled by the method Of DMC.
文中研究了一类二阶系统DMC预测控制的闭环稳定性，并定量地推导出增益失配界，为设计此类控制系统提供了一定的理论依据。
2) miss-match
增益失配
1.
It also analyzes the affection of the close loop robustness due to the choices of parameter Q and μ and gives the miss-match region of this inferential control system.
通过对在一个新的性能指标下的一类推理控制系统的闭环分析，从结构上阐明了该类推理控制系统控制器的可实现性以及由模型失配所带来的鲁棒稳定性问题，分析了可调参数Ｑ与增益失配系数μ的选择对闭环系统鲁棒性的影响，并给出了该闭环系统的增益失配界
3) CP gain mismatch
CP增益失配
4) gain mismatch noise corner frequency
增益失配噪声截止频率
5) gain loss
增益损失
1.
With the help of statistic principle, the estimtion ormulas ofthe antenna gain loss, beam width and siedlobe level in sparse array are derived.
应用概率统计原理，导出了具有幅相误差、阵元失效时稀疏阵天线阵增益损失、波束宽度、指向、副瓣电平的估计公式、并得出一些有益结论。
2.
The optimal feeds phase center of reflector antennas existing reflector surface errors can be worked out to obtain the minimal gain loss by this model.
该模型基于变形反射面天线馈源相位中心与远场方向图的函数关系式,可得到天线反射面存在任意表面误差时的馈源最佳相位中心,使得天线的增益损失最小。
6) critical gain
临界增益
补充资料：失配位错
失配位错
misfit disloc，士;八。。
失配位错misfit disloeations若一对晶体其取向相同，但晶格常数稍有不同，被置于完全的接触时，则在接近于界面处的原子会略微调整它们的位置，这样就会使得界面区域中的原子或处于“好”的形位，或处于“坏”的形位。这些“坏”区域与晶体位错相类似，故名失配位错。F.C.弗兰克(F rank)和范德米尔(Vande Merwe)于1949年首次预言失配位错的存在，并描述了它们若干重要性质。首次实验演示则于1956年实现:锗中杂质硼、硅或锡引起区域性成分变化，导致晶格常数的微小变化，可以观测到这些区域边界处失配位错的存在。 失配位错最常出现在晶体薄膜与衬底的界面上、合金中的脱溶粒子周围、三维“岛”与其基体之间等。主要的实验观察方法是电子显微术。近年来得知在半导体“超晶格”结构中的内界面上产生的失配位错对于器件性能有重要影响，因为它们是杂质原子的从尤坐位，是掺杂物质的高扩散通道，并且是有效的复合中心。关于失配位错的扩散运动行为也有相当的研究，即材料温度升高时，界面上的失配位错有一些会以某种方式迁移到晶体内部去。若设扩散以空位机制进行，则失配位错扩散运动的策动力大致可分为3个部分:由扩散导致应力场所施之力;由于空位不平衡浓度产生之力(与克肯代尔效应联系);失配位错彼此间所施之力。对此种运动实验和理论都进行了不少工作。 失配位错对晶间互扩散起一定作用。失配应变可用来提高晶体完整性。 失配位错的模型构想及理论处理与晶界位错有一定联系，但不应忽视二者间的区别(见小角晶界)o (杨顺华)
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参考词条