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1)  ferroelectric random access memo-ry
铁电动态随机存取存储器
2)  FEDRAM
铁电动态随机存储器
1.
A Modified Macro Model of FEFET for FEDRAM Application
模拟结果与FEFET实验结果比较,显示该模型能够很好地反映铁电材料的疲劳等因素引起的FEFET的存储性能退化,为FEDRAM(铁电动态随机存储器)设计和优化提供了一个良好的模型基础。
3)  dynamic random access memory
动态随机存取存储器
例句>>
4)  RDRAM Rambus
DRAM存储器总线式动态随机存取存储器
5)  ferroelectric random access memories (FeRAM)
铁电随机存储器
1.
Recently, rare-earth lanthanides doped Bi4Ti3Oi2 (BIT) with Bi-layered perovskite structure has been studied intensively for potential applications in ferroelectric random access memories (FeRAM) due to its relatively low crystallization temperature, good fatigue endurance and larger spontaneous polarization compared to SrBi2Ta2O9 (SBT)-based films.
近年来，稀有金属离子掺杂的钛酸铋(Bi_4Ti_3O_(12)，简写为BTO)铁电薄膜成为研究的热点，这种材料结晶温度较低、抗疲劳特性好、自发极化较大(相对SrBi_2Ta_2O_9薄膜来说)，所以可望成为新的铁电随机存储器(FRAM)专用材料。
6)  SDRAM Synchronous Dynamic Random Access Memory
同步动态随机存取存储器(同步内存)
补充资料：随机存取存储器(见半导体存储器)


随机存取存储器(见半导体存储器)
random access memory,RAM

s日1}}Cunq日Ct旧choql随机存取存储器random aeeess memoryRAM)见半导体存储器。
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参考词条