2) random access storage
随机存取存储器，随机取数存储器
3) random access memory(RAM)
随机存取储器
4) random-access memory(RAM)
随机存取存储器;随机访问存储器
5) RRAM
电阻随机存取存储器
6) SRAM
静态随机存取存储器
1.
The Single Event Effect(SEE) simulation experiment was carried out on proton accelerators for Static Random Access Memories(SRAMs).
应用质子直线加速器进行了静态随机存取存储器(SRAM)的单粒子效应模拟实验研究。
2.
The SEU heavy ion LET thresholds were between 4～8MeV·cm 2/mg and the saturation SEU cross sections were of the order of 10 -7 cm 2·bit -1 , for IDT and HM series Static Random Access Memories (SRAMs).
应用重离子加速器和 2 52 Cf源进行单粒子翻转效应实验 ,测量得到 IDT系列和 HM系列静态随机存取存储器的单粒子翻转重离子 L ET阈值为 4～ 8Me V· cm2 /mg,单粒子翻转饱和截面为 10 -7cm2 · bit-1量级 ,位单粒子翻转截面随集成度的提高而减小。
3.
Expermental methods were emphatically described for measuring the proton Single Event Upset (SEU) cross section in Static Random Access Memories (SRAMs).
描述了测量静态随机存取存储器质子单粒子翻转截面的实验方法。
补充资料：随机存取存储器
存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条