1) emplacement mechanism
传播侵位
2) spread
传播
1.
On the spread features of powerful culture;
论强势文化传播的主要特点
2.
The Spread of Maize and the Relevant Questions in Sichuan During the Qing Dynasty;
玉米在清代四川的传播及其相关问题
3.
Research Progress of Spread and Prevention Mechanism of Plant Virus Disease;
植物病毒病传播与防治机制研究进展
3) propagation
传播
1.
Theoretical research on propagation law of acoustic emission wave in coal seam containing gas;
含瓦斯煤体声发射应力波传播规律理论研究
2.
Computer emulation on the propagation of radio wave in the tunnel;
无线电波在巷道中传播的计算机仿真
3.
Correlation research between SARS propagation incidence and concentration of inhalable particulates in air in Guangzhou;
广州市SARS传播与空气污染相关性研究
4) communication
传播
1.
The Characteristics and Development Trend of Chinese Landscape Architecture through Communication Science;
从传播学角度看中国园林景观的特点与发展趋势
2.
Study on Communication Theory in Urban Planning Management;
城市规划管理中的传播理论研究
5) transmission
传播
1.
Schistosomiasis Transmission in Areas Where Inhabitants Migrated from Outside Embankment to New Settlement;
移民建镇对血吸虫病传播影响的研究
2.
Key technique of embedded medical video transmission system;
嵌入式医学视频传播系统软件关键技术
3.
Surveillance of schistosomiasis and evaluation of control results in 11 years after transmission being interrupted in Jiaxing City;
嘉兴市血吸虫病传播阻断后疫情监测11年及效果评价
6) dissemination
传播
1.
Naissance of human resources accounting and dissemination in China;
人力资源会计的产生及其在中国的传播
2.
The generation and dissemination of journals and modern proses during May 4~(th) Period;
五四时期报刊与现代散文的生成和传播
3.
Innovation in mode of dissemination and distribution for colleges and universities journals;
大学学报传播及发行方式的创新
参考词条
补充资料：晶体生长中的位错传播
晶体生长中的位错传播
propagation of dislocations during crystal growth
晶体生长中的位错传播propagation of disloca-tions during crystal gTowth位错在晶体生长过程中的延伸。只要位错在生长界面露头，它就能随着生长界面的推移而延伸。 晶体生长中位错的产生晶体生长过程中产生的位错，有两种来源:①起源于籽晶(晶种)。籽晶中存在位错，生长时延伸到生长的晶体中。②在晶体生长过程中，由于多种原因引起弹性力或渗透力，促使位错成核或增殖。 弹性应力(包括热弹应力)的产生有多种原因，如:在非均匀温场生长系统中(如熔体生长)生长的晶体内存在有温度梯度(径向和轴向的);籽晶表面有损伤或引晶温度偏低，引起局部生长的晶体与籽晶的晶格失配;晶体与柑涡间的热膨胀差异，使晶体受到柑涡约束;晶体中组分不均匀引起的晶格畸变等。此外，长成晶体在冷却过程中，冷却速率愈大，在晶体中引起的热弹应力也愈大，甚至会导致晶体开裂。因此，晶体生长过程中，弹性应力是普遍存在的。在这些弹性应力作用下，通过应力集中非均匀成核产生位错，或通过位错增殖机制如夫兰克一里德源和交滑移等机制，使位错增殖。 晶体中各种类型的点缺陷(见晶体缺陷)，其平衡浓度主要决定于温度。温度下降，点缺陷的平衡浓度则按指数下降。如果晶体中没有足够的点缺陷尾间(sink)或是降温速度太快，或是点缺陷扩散激活能较大，不能及时扩散到尾间或晶体表面，它们就会在晶体内形成过饱和点缺陷。 过饱和点缺陷为异类溶质原子时，它们将趋于凝聚成为新相(脱溶沉淀);过饱和点缺陷若为自填隙原子或空位，它们或是趋于凝聚并崩塌形成位错环的核心，或是使晶体中的位错攀移。在过饱和固溶体中，引起脱溶沉淀、位错环成核以及促使位错攀移的驱动力称为渗透力。在渗透力作用下，通过均匀或非均匀成核形成位错。在渗透力场中有巴丁一赫林源和形成蜷线位错的增殖机制，使位错增殖。 晶体生长中位错的传播晶体生长过程中，位错的传播方向，由克拉拍定理决定。 克拉角定理定理表述如下:在生长界面上露头的伯格斯矢量为b的位错，由于伯格斯矢量守恒的要求，在新生长的晶体层形成过程中位错线必将延伸，其延伸方向(位错传播方向)是使在新生长晶体层中的位错线段的弹性能为极小;或者说位错向着使生长的晶体层的弹性能为极小的方向传播。 若位错的伯格斯矢量b的单位矢量为价，单位生长矢量为g，位错线沿传播方向的单位矢量为l，则在弹性系数为几各向异性弹性介质中，沿传播方向单位位错线极小的能量E为二(。。e。)一笙铃退}。1 21n斋(1)式中K为能量因子，r0和R为内、外截止半径。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。