1) luminesence property
ZnTe_xSe_(1-x)单晶薄膜
2) Ge-xC 1-x films
Ge_xC_(1-x)薄膜
3) GaN_xAs_(1-x) films
GaN_xAs_(1-x)薄膜
4) C_xH_(1-x) films
C_xH_(1-x)薄膜
5) BP_xN_(1-x) thin films
BP_xN_(1-x)薄膜
6) single crystal thin film
单晶薄膜
1.
The PL spectra of near-band edge emission in ZnSe single crystal thin film grown by metal organic chemical vapour deposition have been measured and recognized.
在２Ｋ下，对常压ＭＯＣＶＤ方法生长的ＺｎＳｅ单晶薄膜进行了光致荧光近带边发射谱的测量和辨认。
补充资料：稀土石榴石单晶薄膜磁光材料
分子式：
CAS号：
性质：用外延生长法在常用衬底Gd3Ga5O12单晶(111)晶面上生成稀土石榴石单晶薄膜材料。恒温5～30min，可得薄膜2～30μm。利用生长工艺参数的变化可制取不同组成和性能的磁光薄膜材料。
CAS号：
性质：用外延生长法在常用衬底Gd3Ga5O12单晶(111)晶面上生成稀土石榴石单晶薄膜材料。恒温5～30min，可得薄膜2～30μm。利用生长工艺参数的变化可制取不同组成和性能的磁光薄膜材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条