1) dislocation pit
位错坑形态
1.
The dislocation density and the morphology of dislocation pit of GaP:N LPE semiconductor is studied by SEM.
利用扫描电子显微镜研究GaP：NLPE材料中位错密度和发光的关系及位错坑形态，结果发现：样品经外延后，外延层的位错密度比衬底的位错密度有不同程度的下降，因样品各异，下降幅度为37％～83％；外延层的位错密度越低，样品的发光越好。
2) dislocation configuration
位错形态
1.
A study on dislocation densities and dislocation configuration in 20CrMnTi steel;
20CrMnTi钢位错密度的测定及其位错形态研究
3) dislocation etching pits
位错蚀坑
1.
The rhombus and quadrangular dislocation etching pits, the low angle boundaries and inclusions in the samples were observed using optical microscope and scanning electron microscope after etching.
经过腐蚀后,利用大视场显微镜和扫描电镜在样品表面上观察到了菱形和四边形的位错蚀坑、小角晶界和包裹物等缺陷;测试了经过氢气、空气退火前后,辐照前后YSO晶体的透过谱,结果表明:YSO晶体的吸收边大约在202nm,氢气退火后在200～300nm波段透过率增加,空气退火后透过率显著降低;辐照后,氢气退火的样品在200～500nm 波段透过率显著降低。
4) three-dimensional morphology of dislocations
位错三维形态
5) shape
[英][ʃeɪp] [美][ʃep]
蚀坑形态
1.
Pitting corrosion model of mild and low-alloy steel in marine environment-Part 2: The shape of corrosion pits;
船舶结构钢海洋环境点蚀模型研究之二:实船蚀坑形态与径深比时变模型
6) scour pit shape
冲坑形态
补充资料：不全位错
不全位错
partial dislocation
不全位错partial disloeation伯格斯矢量不是晶格恒同平移矢量的位错。它是堆垛层错的边界，也即是层错与完整晶体部分的分界线。以fcc晶格为例，最常。二‘。一‘，，，、~，，一一，、，、二加，‘爪1，，，八、~，.I见的是在{111}类型的面上通过操作:①告<112>类型2.“J~阵、“‘，~~曰刁~一~一一’「‘~6、““’~~滑移;②抽去一个{111}层，并使上下两岸复合;③插入一个{111}层。这3种操作均造成层错，此层错的边界即是不全位错。分别称为肖克利不全位错， 1‘，，。、0=~不Lll乙J O负弗兰克不全位错，正弗兰克不全位错，。一告〔“‘〕。一奇〔“‘〕。 不全位错复杂之处在于它必然与层错相联系而存在，所以它的形式和运动均受层错之制约。例如上述肖克利不全位错只能在{111}面上作滑移，而弗兰克不全位错根本不能滑动。除fcc晶体外，在hcp、bcc、金刚石结构及其他许多实际晶体中，不全位错是很常见的。一个全位错可以分解为两个或多个不全位错，其间以层错带相联，通常称为扩展位错。 (杨顺华)
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参考词条