1) doped tunsgate crystal
掺杂PbWO4晶体
2) PbWO_4
PbWO4晶体
1.
Simulation of the Optical Properties for the Perfect PbWO_4 Single Crystal;
无缺陷PbWO4晶体光学性质的模拟计算
2.
The electronic structure, dielectric function, complex reflectivity index and absorption spectra on the polarized light in the perfect PbWO_4 (PWO) crystal and the PWO crystal containing a pair of V_(Pb)~(2-)-V_O~(2+) have been calculated using full-potential (linearized) augmented plane-wave ((L)APW)+local orbitals (lo) method.
利用完全势缀加平面波局域密度泛函近似,按照能量最低原理采用共轭梯度方法,对含铅氧空位对的PbWO4晶体进行结构优化处理。
3) PbWO_4 crystal
PbWO4晶体
1.
In this paper,it is gained that the relative sensitivity and time characteristic of NaI(Tl)、CeF_3、PbWO_4 crystals calibrated by the type CΓC-67 γ generator and the DPF neutron generator.
本文总结了在СГС 67型三通道γ加速器和DPF中子源上进行的NaI(Tl)、CeF3、PbWO4晶体的灵敏度、时间响应等特性的标定实验,分析了实验现象,合理地处理数据,给出了实验结果。
4) PbWO 4 crystal
PbWO4晶体
1.
Etching morphology of (001) faces of PbWO 4 crystal grown by Bridgman method was observed by using optical microscope.
利用光学显微镜观察了Bridgman法生长的PbWO4晶体 (0 0 1)晶面的腐蚀形貌 ,讨论了位错蚀坑的形态特征 ,分布规律以及与晶体结晶习性的关系 ,同时还观察了亚晶界的形态 ,初步探讨了位错与亚晶界的成
5) doped crystals
晶体掺杂
6) doped crystal
掺杂晶体
补充资料：掺杂晶体
分子式：
CAS号：
性质：为得到所期望的物理性质，常需要在晶体中掺入杂质元素。例如在半导体硅中掺入一定量的磷，得到n型半导体；掺入一定量的铝或镓，得到p型半导体。在Y2O3中掺入Eu3+离子可以得到发红光的荧光材料；掺入Tb3+则可以得到发绿光的荧光材料。掺杂的方法很多，半导体常利用在一定气氛下退火的办法或离子注入法掺杂。荧光材料的掺杂需要将基质和掺杂物质均匀混合，经高温处理得到均匀的材料。
CAS号：
性质：为得到所期望的物理性质，常需要在晶体中掺入杂质元素。例如在半导体硅中掺入一定量的磷，得到n型半导体；掺入一定量的铝或镓，得到p型半导体。在Y2O3中掺入Eu3+离子可以得到发红光的荧光材料；掺入Tb3+则可以得到发绿光的荧光材料。掺杂的方法很多，半导体常利用在一定气氛下退火的办法或离子注入法掺杂。荧光材料的掺杂需要将基质和掺杂物质均匀混合，经高温处理得到均匀的材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条