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1)  doping CLBO crystal
掺杂CLBO晶体
1.
The growth and properties of doping CLBO crystal have been investigated by top-seeded Kyropoulos method.
本文采用顶部籽晶泡生法进行掺杂CLBO晶体的生长及性能研究。
2)  CLBO crystal
CLBO晶体
1.
Ion beam etching (IBE) was applied to treat the as-polished surfaces of a CLBO crystal with varying in rotation speed of clamp, etching times and incidence angles.
本文研究了在不同作用时间、不同工件转速、不同入射角度等条件下离子束对CLBO晶体抛光表面的处理效果。
2.
The growth defects of the new nonlinear CLBO crystal are investigated and results are also discussed.
通过改进原料纯度 ,配料方法及生长工艺参数 ,消除了晶体中的缺陷 ,CLBO晶体的光学质量明显地得到改善。
3.
The cracking of CLBO crystal has limited its applications.
CLBO晶体的开裂影响了这种性能优良的紫外倍频晶体的实际应用。
3)  doped crystals
晶体掺杂
4)  doped crystal
掺杂晶体
5)  CsLiB_6O_(10)
非线性晶体 CLBO
6)  doped YAlO_3 crystal
掺杂YAlO_3晶体
补充资料:掺杂晶体
分子式:
CAS号:

性质:为得到所期望的物理性质,常需要在晶体中掺入杂质元素。例如在半导体硅中掺入一定量的磷,得到n型半导体;掺入一定量的铝或镓,得到p型半导体。在Y2O3中掺入Eu3+离子可以得到发红光的荧光材料;掺入Tb3+则可以得到发绿光的荧光材料。掺杂的方法很多,半导体常利用在一定气氛下退火的办法或离子注入法掺杂。荧光材料的掺杂需要将基质和掺杂物质均匀混合,经高温处理得到均匀的材料。

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参考词条