1) symmetric one-dimensional barrier
一维对称双势垒
2) symmetrical double potential barrier
对称双势垒
1.
This article,under the non-theory of relativity condition,has calculated the granule and the symmetrical double potential barrier interaction reflection coefficient and the transmission coefficient,and compares with the univariate symmetrical square potential barrier’s phase and tunneling time,through the computation and the comparison,had a deeper understanding to the tunneling phenomenon.
在非相对论条件下,计算了粒子与对称双势垒相互作用的反射系数和透射系数,并与一维对称方势垒的相位和隧穿时间相比较,通过计算和比较,对隧穿现象有了更深地理解。
3) one dimension symmetric finite double square wells potential
一维有限对称双方势阱
4) one-dimensional tunnel barrier
一维势垒
5) barrier with even parity
偶对称势垒
1.
The paper develops a new numerical method to calculate the transmission coefficient for one kind of potential barrier with even parity.
把薛定谔方程的散射态和驻波态联系起来，发展了一种用来求解一些偶对称势垒透射系数的数值方法。
6) asymmetric potential barrier
非对称势垒
补充资料：pn结势垒（barrierofp-njunction）
pn结势垒（barrierofp-njunction）
pn结的空间电荷区中，存在由n边指向p边的自建电场。因此，自然形成n区高于p区的电势差Vd。相应的电子势能之差即能带的弯曲量qVd称为pn结的势垒高度。pn结的p区和n区的多数载流子运动时必须越过势垒才能到达对方区域，载流子的能量低于势垒高度，就被势垒阻挡而不能前进，这个垫垒叫做pn结势垒。pn结的势垒高度与两边半导体中的杂质浓度及其分布、温度以及半导体材料的禁带宽度Eg有关。除pn结势垒外，还有金属与半导体接触的接触势垒（肖特基势垒）、半导体表面形成的表面势垒等。势垒高度受外加电场的影响，当外加电场削弱势垒区中电场时，势垒降低，载流子容易通过；外加电场加强势垒区的电场时，势垒高度升高，载流子不易通过。利用pn结势垒这一特性可制成整流、检波等多种半导体器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条