1) non zero element dynamic memory
非零动态存储
1.
This paper sets forth non zero element dynamic memory trigonometric decomposition method of large scale sparse positive definite normal equation, which is regular, simple and intuitive, and therefore it is ease to realize in the computer.
本文针对具有正定性质的大型稀疏法方程 ,提出了大型稀疏正定法方程的非零动态存储三角分解法 ,运用复式链表来动态存储稀疏矩阵。
2) dynamic storage
动态存储
1.
On dynamic storage and load techniques of image information based on data window object;
基于数据窗口对象的图像信息动态存储与载入技术
2.
Method of implementing dynamic storage based on link in C#;
C#中实观链式动态存储的方法
3.
Research on dynamic storage model of remote sensing data based on desktop-grid
桌面网格环境下遥感数据动态存储模式研究
3) ZNL Zero C Memory Non Linearity
非线性零存储器
4) DRAM
动态存储器
1.
In this paper, the first-in-first-out(FIFO) circuit design for the PCI-Express interface is proposed,which is based on the dynamic access memory (DRAM) core with the 0.
18μm标准CMOS工艺实现的基于动态存储器(DRAM)内核的高速大容量先入先出存储器(FIFO)电路及其版图设计。
2.
DRAM is an important memory device,the application of FPGA is quite extensive in the area of hardware design.
动态存储器(DRAM)是重要的存储器件,现场可编程门阵列(FPGA)在计算机硬件设计领域的应用也十分广泛。
5) dynamical storage
动态预存储
1.
In this paper, the structure of a kind of video surveillance system used in industry and therelative technologies such as dynamical storage and IP multicast is introduced briefly.
介绍了一种应用于工业生产的视频监控系统的系统结构,以及系统中采用的动态预存储和IP组播等相关技术,并给出了一种动态存储的实现方法。
6) dynamic memory
动态存储器
1.
Design of dynamic memory in data acquisition of nuclear medicine;
核医学数据获取动态存储器的设计
补充资料：动态随机存取存储器芯片
动态随机存取存储器芯片
dynamic random access memory chip,DRAM
丽爪厂-.亡再再—A一A饭二加肋姗娜再生地址丽爪厂几一J一-骊一一一几..…厂一~A0一Al二厂一1川功功留 行地址列地址(a) 图4(a)仅豆丽方式; (b)(e)DRAM的别新方式(b)亡丽在前方式;(c)隐含方式出数据有效的时间。目前有120，100，70，60ns等种类，在DRAM产品上分别用一12，一10，一7，一6表示。实际使用时列地址读出时间t优也很重要，它是由石店下降边到读出数据有效的时间，通常为40ns一ZOns。由于列选读出时间比行选读出时间小得多，而行选工作时，选中行线所有单元存储的数据均输出到列数据寄存器;因此】〕RAM可以选择快速工作方式，即在瓦骊变为低后，连续访问已选中行的不同列的存储单元。在快速工作方式下同样可有读出、写入和读一改写操作。有三种快速工作方式，即页面方式、半字节方式、列静态方式，最常用的是页面工作方式。 (1)页面方式豆后为低时，石店连续输人页脉冲。用〔骊污下降边锁存由地址线输人的不同的列地址，从而访问同一行地址、不同列地址的存储单元。由于不需每次访问都由豆入弓变低开始，因而后面的访问读出时间和周期可大大缩短。 (2)半字节方式豆丽为低时，第一个硕丽下降边锁存由地址线输人的第一个列地址。以后的三个亡丽下降边锁存内部自动加一的列地址。这样可快速访问行地址相同、四个列地址连续的存储单兀。 (3)列静态方式当瓦店为低时，石店的下降边锁存第一个列地址，读出其数据(或进行其它操作)，然后厄丽和瓦活维持低电平。通过改变地址线输人的列地址来改变要访间的存储单元，这时的控制类似于.态随机存取存储器芯片的操作。 初期的1〕RAM是PMC6工艺制作的，但广泛使用的是NMC6和CMC6DRAM。由于静态功耗的限制，NMC61〕RAM目前只做到256 kb。随着CNI(万微细加工技术的高度发展，CMC6DRAM已达到64 Mb。NMG6I)R AM 256kb芯片的静止功耗约为25inw，而ChKE】〕RAM256kb到16Mb芯片均不大于5.5n1w。这两种工艺的工作功耗均为400 n1w左右。 微细加工技术的发展，不仅使I)RAM的容量不断加大，访问时间加快，而且在结构上出现了各种不同的字长。初期DRAM的字长仅1位，输人数据与输出数据用两个管脚，后来增加到4位字长。容量提高到IMb以上的DR人M又增加到8位和16位字长。例如对4Mbl)R AM，结构上有4MI〕xl，IML〕x4，512kbX8，256kbX16等不同字长。这样，可用最少量的芯片满足各种系统对存储容量的不同需求。
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参考词条