1) critical doping
临界掺杂
2) critical dopant concentration
临界掺杂浓度
1.
From the viewpoint of thermo-dynamic and structural chemistry,the critical dopant concentration was calculated by a theoretical model.
结果表明:释放氧所需的能量与施主离子的种类无关,因而临界施主掺杂浓度为一定值;临界掺杂浓度时的晶粒尺寸越小,在晶粒重结晶过程中临界施主掺杂浓度就越大。
3) supercritical fluid impregnation
超临界流体掺杂
4) doped grain boundary
掺杂晶界
5) interface doping
界面掺杂
1.
The interface doping plays a critical role in determining GMR, due to the spin-dependent scattering of conductance electrons at interface.
改变材料的界面状况来影响其磁电阻特性是一种重要的研究手段,这种方法目前已经在界面掺杂纯金属和纳米氧化物层方面取得重要进展,本文作为这方面的一个补充,首次尝试在Cu/Co/Cu/Co/Cu和NiO/Co/Cu/Co/Cu结构中,用纳米氮化物层剪裁材料的界面状况,获得了一些新的实验结果。
6) critical hybrid ratio
临界混杂比
1.
The critical hybrid ratio and the tensile strength of tension member of two kinds of hybrid fiber composite were obtained via tensile strength and tensile modulus of fiber lamination,and selection methods of optimal hybrid ratio were introduced.
基于复合材料力学中的复合定律和断裂应变破坏准则,讨论了混杂纤维复合材料的断裂特性,得到了以纤维层拉伸强度和拉伸模量表示的两种纤维混杂复合材料受拉构件的临界混杂比和拉伸强度;并讨论了最优混杂比的选取方法。
补充资料：半导体材料掺杂
半导体材料掺杂
doping for semiconductor material
bondootl Col}{00 ehonzo半导体材料掺杂(doping for semiconduCtormaterial)对材料掺入特定的杂质以取得预期的物理性能与参数的半导体材料制备方法，在大多数情况下，是使用掺杂后的半导体材料进行器件制备。掺杂的具体目的有:(l)获得预期的导电类型，如p型掺杂或n型(见半导体材料导电机理)掺杂;(2)获得预期的电阻率、载流子浓度(见半导体材料导电机理)，如重掺单晶(见简并半导体)、半绝缘砷化稼的制备;(3)获得低的少子寿命(见半导体材料导电机理)，如锗中掺金;(4)获得晶体的良好力学性能，如硅中掺氮;(5)提高发光效率，改变发光波长，如磷化稼中掺氮、掺氧(见发光用半导体材料);(6)形成低维材料及超晶格(见半导体超晶格);(7)调整晶格匹配，如硅中掺锡。 对掺杂的要求主要是:精度、均匀性、分布空间。掺杂的方法有熔体掺杂、气相掺杂、中子擅变掺杂、离子注入掺杂、表面涂覆掺杂(见区熔硅单晶)。掺杂是在半导体材料制备过程的某一个或几个工序中进行，大多数是在单晶拉制过程中进行掺杂，薄膜材料则在薄膜制备过程中进行掺杂，而中子擅变掺杂、离子注入掺杂则离开晶体制备而成为独立的工序。 (万群)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条