1) interface doping effect
界面掺杂效应
2) Grain-boundary doping effect
晶界掺杂效应
3) interface doping
界面掺杂
1.
The interface doping plays a critical role in determining GMR, due to the spin-dependent scattering of conductance electrons at interface.
改变材料的界面状况来影响其磁电阻特性是一种重要的研究手段,这种方法目前已经在界面掺杂纯金属和纳米氧化物层方面取得重要进展,本文作为这方面的一个补充,首次尝试在Cu/Co/Cu/Co/Cu和NiO/Co/Cu/Co/Cu结构中,用纳米氮化物层剪裁材料的界面状况,获得了一些新的实验结果。
4) effect of dopant
掺杂效应
1.
The research progress in recent years of preparation (including effective factors), the technology of agglomeration prevention,the effect of dopant (including the mechanism of gas sensitivity) of α Fe 2O 3 matrix gas sensing material is reviewed.
本文综合介绍了 α-Fe2 O3气敏材料近年来在制备方法 (含影响因素 )、防团聚技术、掺杂效应 (含气敏机理 )上的研究新进展。
5) doping effect
掺杂效应
1.
Molten Salt Techneque Preparation of Bismuthate Superconductors and Researches on the Doping Effect
铋酸盐超导体的熔盐制备技术以及掺杂效应研究
2.
Some hotspots in the investigation doping effects of YBCO at prespresent is also briefly introduced.
介绍了YBCO掺杂的基础知识,总结了YBCO各个位置采用典型元素掺杂而导致的超导电性和结构的变化,阐述了掺杂对YBCO的重要影响,并简介了当前YBCO掺杂效应研究中的几个热点问题。
3.
The calculation results demonstrated that cobalt has a stronger doping effect on the twin interface than iron, and has less influence on the magnetic property of the twin boundary than the latter.
分别从界面能、偏聚能、磁矩、键序和电子态密度等角度对合金元素在界面处的掺杂效应进行了分析和比较。
补充资料：掺杂效应
分子式：
CAS号：
性质：当氧化物中掺入另一种价态不同的阳离子时，由于阳离子之间的相互作用和电荷重新分布，使氧化物中的离子缺陷浓度和电子缺陷浓度发生变化。对于n型和p型氧化物，高价阳离子和低价阳离子的掺杂效应各不相同，其结果可导致氧化速度升高或降低。应用于高温氧化研究和抗氧化涂层设计中。
CAS号：
性质：当氧化物中掺入另一种价态不同的阳离子时，由于阳离子之间的相互作用和电荷重新分布，使氧化物中的离子缺陷浓度和电子缺陷浓度发生变化。对于n型和p型氧化物，高价阳离子和低价阳离子的掺杂效应各不相同，其结果可导致氧化速度升高或降低。应用于高温氧化研究和抗氧化涂层设计中。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条