1)  Mg:In:LiNbO 3 crystal
In:LiNbO_3晶体
2)  Er:LiNbO_3 Crystals
Er:LiNbO_3晶体
3)  In:Nd:LiNbO_3
In:Nd:LiNbO_3晶体
1.
Study on Double-Frequency Properties of In∶Nd∶LiNbO_3 Crystals;
In∶Nd∶LiNbO_3晶体倍频性能的研究
4)  In:Cu:LiNbO 3 crystal
In:Cu:LiNbO_3晶体
5)  Pr:Fe:LiNbO 3 crystal
Fe:LiNbO_3晶体
6)  LiNbO_3 crystal
LiNbO_3晶体
1.
Zn:Fe:LiNbO_3, Ce:Cu:LiNbO_3 and Mg:Mn:Fe:LiNbO_3 crystals were grown by Czochralski method.
其中对Zn:Fe:LiNbO_3晶体,研究了不同的掺Zn~(2+)浓度对晶体光折变性能的影响;同时对Ce:Cu:LiNbO_3和Mg:Mn:Fe:LiNbO_3晶体切割后,分别进行了氧化还原处理,研究了不同的处理方式对晶体光折变性能的影响。
参考词条
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
晶体管-晶体管逻辑电路
transistor-transistor logic
    集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。
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