1) In:Tm:LiNbO_3 crystal
In:Tm:LiNbO_3晶体
1.
In:Tm:LiNbO_3 crystals with varied indium concentration were grown by the Czochralski method.
In:Tm:LiNbO_3晶体在359nm、475nm、695nm、793nm附近有明显的吸收峰,分别对应Tm~(3+)的~3H_6→~1。
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
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