1) Anti periodic boundary conditions and nonlinear boundary conditions
反周期和非线性边界条件
2) nonperiodic boundary condition
非周期性边界条件
1.
Based on the theory of quantum exchange interaction, the eigenvalue problem and the existence conditions of the spin waves in a symmetrical ferromagnetic bilayer film are investigated under the nonperiodic boundary condition by the interfacerescaling approach.
采用界面重标度(IR)方法,研究了非周期性边界条件下,双层铁磁薄膜中自旋波的本征值问题及对称薄膜中自旋波的存在条件;并计入体单轴各向异性,讨论了其对对称铁磁薄膜中自旋波色散关系及波形的影响,结果表明:在完全对称情况下,该系统除了可能存在一支光学—光学界面模外,只存在体模一种形式。
2.
A symmetrical ferromagnetic bilayer film is investigated under the nonperiodic boundary condition and considering anisotropic field at two surfaces,by using the rescaling interface approach.
在非周期性边界条件和在考虑表面各向异性场的情况下 ,应用界面重参数化方法精确求解了两层对称铁磁薄膜中的低能自旋波本征问题 。
3.
In this article,based on one-dimension Heisenberg model,the unsymmetric bilayer ferromagnetic and antiferromagnetic thin films are investigated by using the interface rescaling approach under nonperiodic boundary condition.
以海森伯模型为基础,只考虑最近邻相互作用,在计入外磁场和非周期性边界条件下,应用界面重参数化(IR)方法,讨论了体各向异性场对界面自旋波存在条件的影响,结果发现:不管耦合多弱都会存在声学-声学型界面自旋波;若存在能隙,随着各向异性场的变化还会存在声学-光学型界面自旋波和光学-声学型界面自旋波。
3) non-period boundary condition
非周期边界条件
1.
An integrable model with non-period boundary condition is constructed by use of factorized L operator.
用因式化的L算子构造了一类在非周期边界条件下的可积模型。
5) periodic boundary condition
周期性边界条件
1.
aminotrimethylene phosphonic acid(ATMP),methylaminodimethylene phosphonic acid(MADMP),glycin dimethylene phosphonic acid(GDMP),ethylenediaminetetramethylene phosphonic acid(EDT- MP),1-hydroxyethylidene-1,1-diphosphonic acid(HEDP),1-aminoethylidene-1,1-diphosphonic acid(AEDP)and the(104)face of calcite crystal have been simulated by density functional theory under the periodic boundary condition.
用周期性边界条件下的密度泛函方法,模拟计算了6种有机膦酸阻垢剂[氨基三亚甲基膦酸(ATMP)、甲胺二亚甲基膦酸(MADMP)、甘氨酸二亚甲基膦酸(GDMP)、乙二胺四亚甲基膦酸(EDTMP)、羟基亚乙基二膦酸(HEDP)、氨基亚乙基二膦酸(AEDP)|与方解石(104)晶面的相互作用。
2.
Numerical simulations were used to simulate the temperature of liquid-jet at periodic boundary condition.
用数值计算的方法模拟了周期性边界条件下形状记忆合金温度场的分布情况,主要研究了射流速度、喷距以及射流周期对形状记忆合金的温度随时间的瞬态变化规律。
3.
The FDTD combined with periodic boundary condition (PBC) and absorber boundary condition (ABC) becomes the accurate and efficient tool for various periodic structures.
FDTD方法与周期性边界条件、吸收边界条件结合 ,构成分析各种周期性结构电磁特性准确、有效的通用工具 。
6) periodic boundary condition and antiperiodic boundary condition
周期和反周期边值条件
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条