1) spin-polarized effect
自旋极化效应
1.
Taking into account the spin-polarized effect,rough interface scattering and spin-flip effects,we calculate,within Blonder-Tinkham-Klapwijk Scattering formalism,the spin-polarized tunnel spectrum in the ferromagnet-d-wave superconductor junctions.
考虑到铁磁层中的自旋极化效应、以及界面的粗糙散射和自旋反转效应 ,利用推广了的Blonder Tinkham Klap wijk理论模型 ,计算铁磁 d波超导结中的自旋极化隧道谱 。
3) spin polarization
自旋极化
1.
Effect of spin polarization on electron recombination dynamics in bulk intrinsic GaAs;
本征GaAs中电子自旋极化对电子复合动力学的影响研究
2.
Current-induced spin polarization in spin-orbit coupling systems
自旋轨道耦合系统中的电流导致的自旋极化
3.
Relation between charge shot noise and spin polarization governed by Rashba spin orbit interaction
Rashba自旋轨道耦合作用下电荷流散粒噪声与自旋极化的关系研究
4) spin-polarization
自旋极化
1.
The results show that:(i) the spin-polarization of electron can not be produced in the anti-parallel magnetic barriers structure at zero bias voltage;(ii) the energy threshold of electronic transmission are increase with the increases of magnetic field or bias voltage;(iii) the comparison of the electron spin polarization degree is made between.
研究了双磁垒量子结构中,磁场强度和偏压大小对电子自旋极化输运的影响。
2.
By using scattering matrix method,the quantized conductance,spin-polarization,and magnetoresistance in multi-channel ferromagnetic nanowire are calculated.
利用散射矩阵理论,研究了多通道纳米线结构中的量子化电导、自旋极化和弹道磁电阻。
5) polarization effects
极化效应
1.
Using the energy band diagram and photoelectric response spectrum,the influence of the interface polarization effects on the photoelectric response of the photodetector is analyzed.
利用自洽求解薛定谔-泊松方程计算了AlxGa1-xN/GaN异质结在无极化、完全极化和部分极化的能带图,结合光电响应谱的模拟,分析了界面极化效应对AlxGa1-xN/GaN异质结pin紫外光电探测器响应特性的影响并提出了改善方法。
6) polarization effect
极化效应
1.
the soil electrode polarization effect under direct current excitation is analyzed by theory.
从理论上分析了直流激励下土壤的极化效应,提出了一种双极性脉冲间歇电压激励的测量方法,设计了相应的转换电路、程控放大电路,实现了土壤电导的快速测量。
2.
Based on the measurements and the polarization effect,the cha.
65N/GaN中的极化效应对器件的响应特性影响很大,通过改变偏压和适当的优化设计可以使探测器在紫外波段进行选择性吸收。
3.
The polarization effects in GaN-based HFET are analyzed on the basis of crystal structure and microelectronics theory.
文章从晶体结构和微电子学理论出发,介绍了GaN基异质结构效应晶体管(HFET)的极化效应,二维电子气(2DEG)的源、产生,极化对2DEG的影响以及提高2DEG浓度的方法;列举了三种典型的电流崩塌效应,介绍了其成因和抑制的方法,并对各种方法进行了比较;阐述了栅极场调控电极对GaN基器件电参数的影响,解释了提高器件击穿电压的原理,并对场调控电极对器件功率特性的影响进行了说明,从而指出利用场调控电极的GaN基HFET将会在微波高功率方面有很大的发展前途。
补充资料：自旋-自旋弛豫
自旋-自旋弛豫
磁共振成像术语。又称T2弛豫或横向弛豫(transverse relaxation)，指垂直于外磁场B0方向的磁化矢量的指数性衰减过程。磁共振成像时，对置于外磁场B0中的自旋系统施加90°射频脉冲，则自旋系统被激励，其净磁化矢量指向与外磁场B0垂直；射频脉冲终止后，被激励的质子与邻近的原子核之间发生相互作用，逐渐失去相位，净磁化矢量指向恢复与外磁场平行，该过程称自旋-自旋弛豫。自旋-自旋弛豫过程无能量交换。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条