1) low surface recombin ation velocity
低表面复合速度
2) Surface recombination velocity
表面复合速度
1.
The J o is mainly depended on two parameters: a surface recombination velocity S and a minority drift electrical field E .
推导了更为普遍的有限尺寸条件下太阳电池的表面复合速度和少子加速场对Jo 影响的表达式 ,并且对两者的影响进行了数值模拟 。
2.
A new method is proposed for determining the bulk minority carrier diffusion length and surface recombination velocity.
给出一简单模型 ,对GaP样品n区的EBIC线形进行计算 ,拟合实验曲线 ,得出少子扩散长度和表面复合速
3) superficial velocity
表面速度;表面速
6) surface composites
表面复合
1.
A new engineering material named “surface composites”is introduced.
介绍了一种名为表面复合材料的工程材料。
补充资料：表面复合（surfacerecombination）
表面复合（surfacerecombination）
位于半导体表面禁带内的表面态（或称表面能级）与体内深能级一样可作为复合中心，起着对载流子的复合作用。为此，通常把半导体非平衡载流子通过表面态发生复合的过程称为表面复合。与体复合相比表面复合更为复杂，它不仅依赖于表面复合中心浓度及体掺杂浓度，还依赖于表面势。而表面势又是对周围环境敏感的参量，所以表面复合会因表面环境条件的变化而发生变化。半导体器件通常都要求较低且稳定的表面复合速度，因此，在半导体工艺技术上如何控制表面复合是一个非常重要的问题。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条