1) electrical boundary condition
电边界条件
1.
Influence of electrical boundary conditions on lamb wave excitation at the interface of liquid and piezoelectric substrate;
液体-压电晶片界面上电边界条件对兰姆波激发的影响
2) absolute electric bowndary condition
绝对电边界条件
3) electric boundary condi-tions
电学边界条件
4) electricallypermeable boundary condition
电渗透边界条件
5) boundary condition
边界条件
1.
Defining the turbulent mixing coefficient and the corresponding flux-boundary conditions for the dust diffusion equation;
ESP粉尘二维输运方程中紊流掺混系数及边界条件的确定
2.
Boundary conditions of finite difference time domain simulation in room acoustics;
室内声学时域有限差分模拟中的边界条件
3.
Sensitivity analysis on boundary conditions in numerical simulation of seepage flow through dam foundation;
闸坝地基渗流计算中边界条件敏感性分析研究
6) boundary conditions
边界条件
1.
Influence of different boundary conditions and strain amplitudes on the structural internal friction of anisotropic laminated damped structures;
不同边界条件和应变振幅对各向异性层合阻尼结构内耗的影响
2.
Investigation of the inlet and outlet boundary conditions in numerical simulations of twin-screw extruders;
双螺杆挤出机流场数值模拟中流道进出口边界条件的探讨
3.
Handling the Boundary Conditions during Cooling in 3D Tanperauire Field Simulation in Low Pressure Die-casting;
低压铸造三维温度场的冷却边界条件处理
补充资料：电磁场的边界条件
电磁场在两种不同媒质分界面上，从一侧过渡到另一侧时，场矢量E、D、B、H一般都有一个跃变。电磁场的边界条件就是指场矢量的这种跃变所遵从的条件，也就是两侧切向分量之间以及法向分量之间的关系。在某些电动力学或电磁场理论的书中，为了与另一种边界条件（在区域的表面上给定的有关场矢量的边值）相区别，将本条所解释的电磁场边界条件称为电磁场的边值关系。
电磁场的边界条件可以由麦克斯韦方程组的积分形式推出，它实际上是积分形式的极限结果。这些边界条件是n·(D1-D2)=ρs； (1)
n×(E1-E2)=0； (2)
n·(B1-B2)=0； (3)
n×(H1-H2)=J)s。 (4)
式中n为两媒质分界面法线方向的单位矢量，场矢量E、D、B、H的下标1或2分别表示在媒质1或2内紧靠分界面的场矢量,ρs为分界面上的自由电荷面密度,Js为分界面上的传导电流面密度。式(1)表示在分界面两侧电位移矢量D的法向分量的差等于分界面上的自由电荷面密度。当分界面上无自由电荷时，两侧电位移矢量的法向分量相等,即其法向分量是连续的。式(2)表示在分界面两侧电场强度E的切向分量是连续的。式(3)表示在分界面两侧磁通密度B的法向分量是连续的。式(4)表示在分界面两侧磁场强度H的切向分量的差等于分界面上的表面传导电流面密度。当分界面上无表面传导电流时，两侧磁场强度的切向分量相等，即其切向分量是连续的。
当媒质2为理想导体时，E2、D2、B2、H2等于零，式(1)表示D1的法向分量等于自由电荷面密度；式(2)表示E1无切向分量式(3)表示B1的法向分量为零；式(4)表示H1的切向分量等于表面传导电流面密度,并且与电流方向正交。
电磁场的边界条件可以由麦克斯韦方程组的积分形式推出，它实际上是积分形式的极限结果。这些边界条件是n·(D1-D2)=ρs； (1)
n×(E1-E2)=0； (2)
n·(B1-B2)=0； (3)
n×(H1-H2)=J)s。 (4)
式中n为两媒质分界面法线方向的单位矢量，场矢量E、D、B、H的下标1或2分别表示在媒质1或2内紧靠分界面的场矢量,ρs为分界面上的自由电荷面密度,Js为分界面上的传导电流面密度。式(1)表示在分界面两侧电位移矢量D的法向分量的差等于分界面上的自由电荷面密度。当分界面上无自由电荷时，两侧电位移矢量的法向分量相等,即其法向分量是连续的。式(2)表示在分界面两侧电场强度E的切向分量是连续的。式(3)表示在分界面两侧磁通密度B的法向分量是连续的。式(4)表示在分界面两侧磁场强度H的切向分量的差等于分界面上的表面传导电流面密度。当分界面上无表面传导电流时，两侧磁场强度的切向分量相等，即其切向分量是连续的。
当媒质2为理想导体时，E2、D2、B2、H2等于零，式(1)表示D1的法向分量等于自由电荷面密度；式(2)表示E1无切向分量式(3)表示B1的法向分量为零；式(4)表示H1的切向分量等于表面传导电流面密度,并且与电流方向正交。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条