1) polysilicon emitter
多晶发射极
1.
In modern advanced bipolar technology, polysilicon emitter structure is adopted.
在现代比较先进的Bipolar技术中,一般采用多晶发射极结构,这种结构可以提高双极管放大倍数和频率响应特性,因此,这种结构得到广泛的应用。
2.
After synthetizing requirement of home market at present stage, the circuit of class D power amplifier is designed basing on polysilicon emitter BiCMOS process of 0.
6μm特征线宽、双层多晶、双层金属的多晶发射极BiCMOS工艺的D类功率放大器。
2) Polysilicon emitter
多晶硅发射极
1.
After a brief analysis of the advantages of polysilicon emitter bipolar transistors, a new technological process for the transistors is designed in this paper according to the bipolar technology available in our country, and the layout of a minimum size transistor is represented.
在简要分析多晶硅发射极双极晶体管特点的基础上 ,根据国内现有的双极工艺水平 ,设计了用于制备多晶硅发射极双极晶体管的工艺流程 ,并给出了一个最小尺寸晶体管的版图 ,最后对设计的多晶硅发射极晶体管的频率特性进行了模拟。
2.
Form a very small base width and adjustable uniform by using the special whole area structure, uniform polysilicon emitter buffer layer can form a uniform light emitter, which laid the foundation for the production of high-frequency devices.
本文主要对高频器件多晶硅发射极工艺进行了研究,对其制作工艺、主要工艺参数进行了研究和优化,并通过优化结果,成功地开发出一套完整的1μm制备微波晶体管工艺。
3) met.
多发射极晶体管
4) Double-polysilicon emitter
双多晶发射极
5) polysilicon emitter teansistor
多晶硅发射极晶体管
6) polysilicon contact thin emitter
多晶硅接触薄发射极
1.
of the thin emitter for a new-type polysilicon contact thin emitter thyristor is proposed.
提出了制备新型多晶硅接触薄发射极晶闸管薄发射极欧姆电极的新结构──Ａｌ／Ｔｉ／Ｐｏｌｙｓｉ。
补充资料：多晶莫来石晶须(纤维)
分子式：
CAS号：
性质：莫来石相为主晶相的多晶纤维。化学成分为Al2O3 72％～77％，SiO222％～17％，B2O3 3％～5％，P2O51.5％～3.0％。纤维直径2～7μm，纤维长度20～125μm。使用温度1350℃。多采用溶胶-凝胶法制造。主要用作补强填料，也可作为轻质、隔热保温材料使用。
CAS号：
性质：莫来石相为主晶相的多晶纤维。化学成分为Al2O3 72％～77％，SiO222％～17％，B2O3 3％～5％，P2O51.5％～3.0％。纤维直径2～7μm，纤维长度20～125μm。使用温度1350℃。多采用溶胶-凝胶法制造。主要用作补强填料，也可作为轻质、隔热保温材料使用。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条