1) two-dimensional colloid crystal lithography
二维胶体晶体刻蚀
1.
Nanoparticle array synthesized by two-dimensional colloid crystal lithography;
基于二维胶体晶体刻蚀法的纳米颗粒阵列
2) nanosphere lithography
胶体晶体刻蚀
1.
Size and morphology control of highly-ordered nano-silicon pillar fabricated by direct nanosphere lithography;
基于直接胶体晶体刻蚀技术的高度有序纳米硅阵列的尺寸及形貌控制
3) Colloidal lithography strategy
胶体晶体刻蚀技术
4) two-dimensional colloidal crystal
二维胶体晶体
1.
In the article we discussed the process of prepairing two-dimensional colloidal crystal of polystyrene spheres using self-assembling method in laboratory.
文中探讨了在实验室中用自组装的方法制备聚苯乙烯小球二维胶体晶体的过程,并实验研究了He-Ne激光器发出的激光束聚焦到样品上所产生的可见光衍射图案。
6) two-dimensional crystal
二维晶体
1.
The diffraction of two-dimensional crystal as special case of three-dimensional crystal is researched.
讨论和研究了干涉函数对衍射的影响,提出并证明了Laue方程的一般表达式和有关倒易空间与倒易向量的2个定理,研究了作为三维晶体特例的二维晶体的衍射,讨论了二维晶体倒易点阵的物理内容和点阵点的权重。
2.
The crystallographic problems of two-dimensional crystal,such as the matrix expression, the symmetry and the systematic absence law of the crystal's X-ray diffraction, are studied.
对二维晶体的矩阵表示、对称性及其对X射线衍射的系统消光规律进行了研究,得到并证明了二维晶体的矩阵表示的二个定理和二维晶体对X射线衍射的系统消光定理。
补充资料：电化学刻蚀
分子式：
CAS号：
性质：也称电解浸蚀。在一定的电解液中，采用电化学原理选择性地除去某种金属(或半导体)的过程。可外加电压(为电刷镀的逆过程)或不外加电压(化学刻蚀)。影响电化学蚀刻的因素有电场强度和频率、探测器厚度、蚀刻液浓度和径迹倾角等。化学刻蚀法使用较多，例如在印刷电路板的制作中，通过如下反应：Cu→Cu2++2e-(阳极) ；2Fe3++2e-→2Fe2+(阴极)。按预作保护的图样除去绝缘基板上的铜覆盖层。在微电子装置的制作中，对半导体(如硅)选择性地刻蚀是关键步骤。常用的刻蚀剂有CuCl2，FeCl3，H2CrO4，NH4Cl，H2O2-H2SO4等。
CAS号：
性质：也称电解浸蚀。在一定的电解液中，采用电化学原理选择性地除去某种金属(或半导体)的过程。可外加电压(为电刷镀的逆过程)或不外加电压(化学刻蚀)。影响电化学蚀刻的因素有电场强度和频率、探测器厚度、蚀刻液浓度和径迹倾角等。化学刻蚀法使用较多，例如在印刷电路板的制作中，通过如下反应：Cu→Cu2++2e-(阳极) ；2Fe3++2e-→2Fe2+(阴极)。按预作保护的图样除去绝缘基板上的铜覆盖层。在微电子装置的制作中，对半导体(如硅)选择性地刻蚀是关键步骤。常用的刻蚀剂有CuCl2，FeCl3，H2CrO4，NH4Cl，H2O2-H2SO4等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条