1) Increased resistance value
电阻变化值
2) OBIRCH
激光束诱导电阻值变化
1.
13 μm in early scale production,using electrical and physical failure analysis methods of OBIRCH(optical beam induced resistance change),VC(contrast voltage),SEM and FIB,it was conformed that the MOS device physics defect caused by ion implantation deviation is the main reason for IDDQ failure.
13μm某种DSP芯片在量产初期所遇到的IDDQ测试失效情况,利用激光束诱导电阻值变化(OBIRCH)、电压对比(VC)、扫描电镜(SEM)和聚焦离子束(FIB)等电学与物理失效分析方法,确定由离子注入偏差所引起的MOS器件物理缺陷是造成IDDQ失效的原因,据此进行了离子注入光阻的工艺改进,最终实现了成品率的提升。
4) resistance varying-ratio
阻值变化率
1.
Through analyzing the experimental data,the quantitative dependence of resistance varying-ratio on cutting-length varying-ratio of transverse-cutting is gotten,and the function of them when cutting-length varying-ratio is less than 55% is fitted.
通过实验数据分析得出激光横向切割的长度变化率与阻值变化率之间的定量结论 ,并拟合了有效横向切割长度的阻值变化率与切割长度变化率之间的关系函数 ,二者能够为提高调阻精度和调阻效率提供控制依据。
5) relative change of resistance
电阻变化率
补充资料：pH值变化试验
分子式：
CAS号：
性质：亦称酸碱度，是测定医用高分子材料溶出液化学惰性的方法，取溶出液与制备该溶出液的同批蒸馏水，用酸度计分别测试pH值，二者之差不超过1.5方为合格产品。
CAS号：
性质：亦称酸碱度，是测定医用高分子材料溶出液化学惰性的方法，取溶出液与制备该溶出液的同批蒸馏水，用酸度计分别测试pH值，二者之差不超过1.5方为合格产品。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条