1) Four-pulsed vacuum diode
四脉冲二极管
2) long pulse diode
长脉冲二极管
3) diode post pulse
二极管后脉冲
1.
They are the problems of the electric breakdown of the insulator support for water dielectric transmission lines, anode foil installation of large area electron beam diode, shape of Hibachi ribs that contact the pressure foil, and formation of diode post pulses and their damage to the anode foil and cathode emitter.
介绍了用于天光一号高功率氟化氪 (KrF)准分子激光系统中的电子束双向激励主放大器稳定运行中必须解决的一些重要技术问题 :水介质脉冲传输线中的绝缘支撑击穿问题 ;大面积电子束二极管阳极膜的安装 ;与压力膜接触处Hibachi筋的形状 ;二极管后脉冲的形成及其对阳极膜和阴极发射体造成的损害等问题。
4) multi-pulsed diode
多脉冲二极管
6) pulsed-light diode
脉冲光二极管
补充资料：1,3,5,7-四甲基四乙烯基环四硅氧烷
分子式：[CH3(CH2＝CH)SiO]4
CAS号：
性质：沸点224～224.5℃(101.06kPa)。熔点-43.5℃±0.1℃。相对密度0.9875。折射率1.4342。与八甲基环四硅氧烷性能相似，在微量硅醇钠、硅醇钾或少量浓硫酸作用下，Si-O-Si键断裂重排，生成直链的聚硅氧烷和环状硅氧烷的混合物。 Si-CH＝CH2键在有机过氧化物存在下，可进行游离基聚合反应。在铂催化剂存在下，可与Si—H键发生加成反应。可由甲基乙烯基二氯硅烷的水解料催化裂解来制取。用来合成有机硅中间体及高分子化合物提供活性交联点之用，是制备硅橡胶不可缺少的原料之一。
CAS号：
性质：沸点224～224.5℃(101.06kPa)。熔点-43.5℃±0.1℃。相对密度0.9875。折射率1.4342。与八甲基环四硅氧烷性能相似，在微量硅醇钠、硅醇钾或少量浓硫酸作用下，Si-O-Si键断裂重排，生成直链的聚硅氧烷和环状硅氧烷的混合物。 Si-CH＝CH2键在有机过氧化物存在下，可进行游离基聚合反应。在铂催化剂存在下，可与Si—H键发生加成反应。可由甲基乙烯基二氯硅烷的水解料催化裂解来制取。用来合成有机硅中间体及高分子化合物提供活性交联点之用，是制备硅橡胶不可缺少的原料之一。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条