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1)  atom-lithography
原子刻蚀
2)  H atoms etching
氢原子刻蚀
3)  fast atom beam etching
快速原子束刻蚀
1.
A new microfabrication method--electron beam scanning exposure and fast atom beam etching--to fabricate sub wavelength gratings is described.
描述了一种新的亚波长光栅的微细加工技术 ,即电子束 (EB)扫描曝光得到相应的亚微米级的线宽图形 ,再利用快速原子束刻蚀设备获得了高深宽比的立体结构。
4)  etchplain
刻蚀平原
5)  ion etching
离子刻蚀
1.
The distribution of C, O, N, Cl elements in ternary polyurethane/epoxy/poly-B-propylene glycol diacrylate(PUR/EP/PPGDA) IPNs' surface was analyzed by X-ray photoelectron spectroscopy and the internality was analyzed with argon ion etching.
用X射线光电子能谱(XPS)分析了以聚氨酯(PUR)为第一网络的PUR/环氧树酯/聚-β-丙二醇二丙烯酸酯互穿聚合物网络(PUD/EP/PPGDA IPN)弹性体的表面元素分布,并用氩离子刻蚀进行材料内部元素分析。
2.
In order to make high quality junctions we have done some researches on reaction ion etching(RIE) method and ion etching method.
在制备所有的NbN超导隧道结的过程中,为了得到良好的隧道结,刻蚀是很关键的一步,我们对反应离子刻蚀(RIE)和离子刻蚀两种不同的方法进行了研究比较。
3.
This paper applies the thermal spikes effect and ion etching effect to explain the formation of DLC films by analyzing the effects of energy particles.
本文通过分析荷能离子的作用,应用热峰效应和离子刻蚀效应来解释DLC膜的形
6)  Ion etching
离子蚀刻
1.
The speed of etching the sample was determined by controling the size ofion beam and voltage of two pole of ion beam,By the technigue of ion etching,themicroshape of the mite leg and the mite boby of the Tetranychus truncatus Ehara wasclearly displayed under Scaning Electronic Microscope(SEM).
本文以截形叶螨为实验样品,经离子蚀刻后在扫描电镜下观察,清晰地显示了螨足、螨体解剖后的显微结构。
补充资料:电化学刻蚀
分子式:
CAS号:

性质:也称电解浸蚀。在一定的电解液中,采用电化学原理选择性地除去某种金属(或半导体)的过程。可外加电压(为电刷镀的逆过程)或不外加电压(化学刻蚀)。影响电化学蚀刻的因素有电场强度和频率、探测器厚度、蚀刻液浓度和径迹倾角等。化学刻蚀法使用较多,例如在印刷电路板的制作中,通过如下反应:Cu→Cu2++2e-(阳极) ;2Fe3++2e-→2Fe2+(阴极)。按预作保护的图样除去绝缘基板上的铜覆盖层。在微电子装置的制作中,对半导体(如硅)选择性地刻蚀是关键步骤。常用的刻蚀剂有CuCl2,FeCl3,H2CrO4,NH4Cl,H2O2-H2SO4等。

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参考词条