1) anomaly spreading effect
异常扩展效应
2) Spreading effect of chromatographic peak
色谱峰扩展效应
3) Kirk effect
基区扩展效应
1.
In order to imporve the current gain of very high-speed bipolar transistor and decrease the influence of Kirk effect at high emitter injection, we incorporate selectively implanted collector (SIC) in a double polysilicon self-aligned transistor.
为提高超高速双极晶体管的电流增益 ,降低大电流下基区扩展效应对器件的影响 ,将选择离子注入集电区技术 (SIC)应用于双层多晶硅发射极晶体管中。
4) thermal effect of crack propagation
裂纹扩展热效应
5) nephelanxetic effect
电子云扩展效应
6) Expansion effects of road
公路扩展效应
补充资料：电子云扩展效应
分子式：
CAS号：
性质：在配位化合物中，中心离子的d电子间的排斥作用比相应自由金属离子中d电子间的排斥作用小，即在配位化合物中d电子云在一定程度上向配体迁移，d电子产生离域化。这种现象称电子云扩展效应。产生这种效应是配体与中心离子形成配键时，配体的孤对电子钻入中心离子的d轨道中扩大了d电子与金属离子核心之间的距离，也增加了d电子之间的距离。如自由离子Cr3+的电子排斥参数B为1030 1/cm。在Cr(NH3)63+中电子排斥参数B只有741.6 1/cm。这一效应可用来解释配位化合物光谱的精细结构。
CAS号：
性质：在配位化合物中，中心离子的d电子间的排斥作用比相应自由金属离子中d电子间的排斥作用小，即在配位化合物中d电子云在一定程度上向配体迁移，d电子产生离域化。这种现象称电子云扩展效应。产生这种效应是配体与中心离子形成配键时，配体的孤对电子钻入中心离子的d轨道中扩大了d电子与金属离子核心之间的距离，也增加了d电子之间的距离。如自由离子Cr3+的电子排斥参数B为1030 1/cm。在Cr(NH3)63+中电子排斥参数B只有741.6 1/cm。这一效应可用来解释配位化合物光谱的精细结构。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条