1) magnetic impurity
磁性杂质
1.
We studied the influence of single magnetic impurity on the spin orientation of an incident electron,the scattering barrier can be expressed by the Rashba Hamitonian and delta function.
研究局域化磁性杂质引发的散射势对入射电子自旋取向的影响,该势可用Rashba哈密顿项表示。
2) nonmagnetic impurity
非磁性杂质
1.
Research of tunneling magnetoresistance effect in ferromagnet-nonmagnetic impurity-ferromagnet system;
铁磁-非磁性杂质-铁磁隧道结磁电阻效应
3) Magnetic Impurity Particle
磁性杂质颗粒
1.
Electromagnetic Separation of Magnetic Impurity Particles in Al-Si Alloy Melt;
Al-Si合金熔体中磁性杂质颗粒的电磁分离
2.
Electromagnetic separation of magnetic impurity particles in aluminum melt;
铝熔体中磁性杂质颗粒的电磁分离
4) Magnetic impurity effects
磁性杂质效应
5) magnetic metal impurity
磁性金属杂质
6) magnetic and non-magnetic impurities
磁性和非磁性杂质
补充资料：磁性材料2．薄膜磁性材料
磁性材料2．薄膜磁性材料
Magnetie Materials 2.Thin Film
在一定外加磁场作用下，其反磁化畴(磁矩取向与外磁场方向相反的畴)变为圆柱形磁畴。从膜面上看，这些柱形畴好像浮着的一群圆泡，故称磁泡或叫泡踌(另见磁性材料2.昨晶态磁性材料)。在特定的电路图形、电流方向和一定磁场情况下，可做到控制材料中磁泡的产生、传翰和消失，实现信息的储存和逻辑运算的功能。磁泡的直径在微米量级(0 .5~5协m)，每个磁泡的迁移率在1 .26~12.6em八s·A/m)〔 102一i03cm八s·oe)〕，因而可制成存储密度为兆位/cmZ(Mbit/cmZ)和数据处理速率为兆位/s(M肠t/s)的运算器件。磁泡器件经过近20年研究和开发，已取得广泛的实际应用。 对磁泡材料的主要要求是:(l)各向异性常数凡>粤斌，磁化强度从>外磁场强度H;(2)杂质缺陷小，2一~”~’.J泌~-一‘产’~~一~一’、~尹一~~~’J”均匀性好。目前研究得比较清楚的有铁氧体单晶薄膜和稀土一过渡金属薄膜。从制备工艺和性能稳定、器件开发等情况看，以铁氧体磁泡材料比较成熟，早期是用钙钦石型铁氧体单晶片来作磁泡材料，后为YIG单晶薄膜所取代。它是用液相外延法在Gd3Ga5OI:(简称GGO)基片上生成的单晶薄膜，其厚为微米量级。表4为稀土石榴石R3FesolZ的磁性;表5为一些磁泡材料的基本特性数值。农4稀土石抽石R.Fe‘ol，的磁性┌───────────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬─────┬────┬────┐│R │Y │Sm │EU │Gd │Tb │Dy │、Ho │Er │T】11 │Yb │Lu │├───────────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼─────┼────┼────┤│补偿温度，~p，K │ 560 │ 560 │ 570 │ 290 │ 246 │ 220 │ 136 │ 84│4
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条