1) Electrical resistance of the fused interface
键合界面阻抗
2) interfacial resistance
界面阻抗
1.
The interfacial resistances of Ag-BSB composite cathode were measured on Ce_(0.
9(SDC)为电解质,用交流阻抗法研究BSB含量对复合阴极的界面阻抗的影响发现,50%(体积分数)BSB时,界面阻抗最小,在650℃和 700℃时分别为0。
4) bonding interface
键合界面
1.
At the beginning,the relative movement of the bonding interface mainly occurs between golden bumps of the chip and pads of the substrate,which breaks the oxide and the contamination layer of the interface surface and exposes fre.
通过比较分析两条曲线,揭示了热超声倒装键合强度的生成过程:在键合初始阶段,键合界面的相对运动主要发生在芯片金凸点与基板焊盘表面之间,并使其接触表面氧化层和污染层被破坏,裸露出新鲜原子,为金凸点与焊盘间的原子扩散并最终形成键合强度提供条件;随着键合的进行,芯片振动速度开始下降,而工具末端振动速度继续增大(即出现速度分离现象),工具末端和芯片间产生明显相对运动,表明键合强度已产生,芯片金凸点/基板焊盘间的结合力超过工具末端/芯片间的摩擦力;速度分离后芯片与工具末端的振动速度和位移曲线表明了超声振动能量部分耗散在芯片/工具的摩擦上。
2.
But the area of silicon becomes bigger than before, so there are bonding cavities in bonding interface and the bonding strength can t increase.
首先对SDB的工艺机理进行了说明,并分析了引起键合界面空洞的原因,提出了增强键合强度及控制键合界面电学特性的措施。
5) wave impedance interface
波阻抗界面
1.
Therefore,in designing well depth,the shot point shall approach the wave impedance interface as much as possible.
因此,在井深设计时,爆炸点尽可能靠近波阻抗界面(潜水面界面),但是,在实际地震采集工程中,单从理论出发使炸药非常靠近波阻抗界面,结果会使爆炸后产生的破坏带炸穿波阻抗界面,使一部分上行波上传形成面波、声波等干扰,减少激发能量向地下传播。
6) diffusion impedance of interface
界面扩散阻抗
补充资料：星接阻抗和三角接阻抗的变换
星接阻抗和三角接阻抗的变换
transformation between starc-onnected and delta-connected impedances
x ing]一e乙日kongl介e sonJ一00}Iez日伙ongde匕一。一〕huon星接阻抗和三角接阻抗的变换(t ransfor-mation betweenstar一eonneeted and delta-eonneeted imPedanees)接成星形的三个阻抗和接成三角形的三个阻抗互相替代的等效变换。它们之间的关系可用一组变换公式表示。按这组公式，用星接阻抗替换三角接阻抗或者反过来，不会影响稳态下电路其他部分的正弦电压和电流，常用于对称三相电路的分析和计算。 图1为三个阻抗21、Z:、23接成星形(又称丫形)。图2为三个阻抗Z小22。、Zal接成三角形(又称△形)。它们之间的变换公式如下:人23土图1星接阻抗图2三角接阻抗(1)将星形连接变换成三角形连接212一Z:+22+2 122及3一22+za十警(1)、|冬|矛231一23+21+2321(2)将三角形连接变换成星形连接z、-二一典乒兴-) 艺‘2士乙“3十乙31…_2 oqZI，}Z。一下万~一二-二二-汁 乙‘2士乙23十乙3‘1_Z。IZoq}艺q一二二一~二，二二--，-二二-~J 乙12十乙23十艺32夕(2) 当三个星接阻抗相等，即21一Z:一23一z丫、三个三角接阻抗相等即212一223一231一Z△时，变换公式是 Z二一32丫，Z丫一Z△/3
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条