1) stratified I-Fuzzy topological space
I-Fuzzy满层空间
1.
We give the properties of operators ω and ι and introduce the concepts of induced I-Fuzzy topological space, I-Fuzzy background topological space and stratified I-Fuzzy topological space.
本文引入了生成I-Fuzzy拓扑空间的概念,研究了Fuzzifying拓扑空间(X,τ)与其相应的生成I-Fuzzy拓扑空间(IX,ω(τ))的联系;然后介绍了ω,ι算子及它们的运算性质;最后给出并研究了I-Fuzzy诱导空间,I-Fuzzy弱诱导空间,I-Fuzzy满层空间的定义和它们间的联系。
2) I(L) Stratified Space
I(L)满层空间
3) I-fuzzy topological space
I-fuzzy拓扑空间
1.
Pre-continuity mapping in I-fuzzy topological space;
I-fuzzy拓扑空间中的准连续映射
2.
Countabilities in I-fuzzy Topological Spaces;
引入I-fuzzy拓扑空间中的I-fuzzy第一可数性,I-fuzzy第二可数性,I-fuzzy稠密性,I-fuzzy可分性,I-fuzzyLindelo¨f性等概念。
4) I-fuzzy Topological Spaces
I-fuzzy拓扑空间
1.
In this thesis, we investigate I-fuzzy topological spaces with the semantic method of continuous-valued logic in order to enrich and develop a fundamental theory about I-fuzzy topology.
本文主要目的是运用连续值逻辑L_(N_1)语义的方法系统地研究I-fuzzy拓扑空间,以便进一步丰富和发展I-fuzzy拓扑空间的基本理论。
5) stratified space
满层空间
1.
In this paper,variety of induced spaces equivalent conditions were revealed,their equivalent characterizations were proofed and some characterizations of stratified spaces were given.
对弱诱导空间、满层空间和诱导空间的等价条件进行了归纳和总结,证明了它们之间的等价性,并给出若干新的等价刻画。
6) induced I(L) fuzzy topological spaces
I(L)诱导Fuzzy拓扑空间
补充资料：空间电荷层
分子式：
CAS号：
性质：与任何物体一样，半导体的表面状态与其本体不同。就电性质而言，半导体的表面将因载流子的分布与本体不同而形成空间电荷层，厚度一般约1μm。其本质与电解质溶液界面的分散双(电)层相同，只是名称不同而已。在空间电荷层内不同位置的电势分布也与本体不同。在能级图上可借助于能带的弯曲来表示它的形成。空间电荷层的特性对半导体器件和半导体电极的性质有很大的影响。
CAS号：
性质：与任何物体一样，半导体的表面状态与其本体不同。就电性质而言，半导体的表面将因载流子的分布与本体不同而形成空间电荷层，厚度一般约1μm。其本质与电解质溶液界面的分散双(电)层相同，只是名称不同而已。在空间电荷层内不同位置的电势分布也与本体不同。在能级图上可借助于能带的弯曲来表示它的形成。空间电荷层的特性对半导体器件和半导体电极的性质有很大的影响。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条