1) Mn/GaAs(001) system
Mn/GaAs(001)
4) YBa 2Cu 3O 7(001)
YBa2Cu3O7(001)
5) Manganese
[英]['mæŋɡəni:z] [美]['mæŋgə'niz]
Mn
1.
Influence of manganese on oxide resistance and slay resistance of carbonaceous refratory;
Mn对铝锆碳耐火材料性能的影响
2.
Direct Determination of Copper, Zinc and Manganese in Food Samples by Slurry Sampling Graphite Furnace Atomic Absorption Spectrometry;
悬浮体制样石墨炉原子吸收光谱法直接测定食品中的Cu、Zn、Mn
3.
The effect of Manganese on the properties of hardness and wear-resistance of ZA silicon phase spheroidizing alloy,including ZA27,ZA35 and ZA45,has been investigated.
研究了在硅相球化的ZA27、ZA35及ZA45合金中加入不同量的Mn时,对ZA合金硬度及耐磨性的变化规律。
6) AlGaAs/GaAs
Al GaAs/GaAs
1.
We design and fabricate a 128×128 AlGaAs/GaAs quantum well infrared photodetector focal plane array (FPA).
报道了128×128 Al GaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列的设计和制作。
补充资料：GaAs epitaxial wafer
分子式：
CAS号：
性质：在特定晶向[(100)或(100)偏向最近<110>2 ～5 的晶面]砷化镓衬底上外延生长的单晶薄层材料外延工艺有LPE、VPE、MOCVD、MBE、CBE、ALE等工业选择取决于器件结构等因素，一般LPE、VPE多用于商品化器件，如光探测器、霍尔器件等。MBE、CBE、ALE多用于最子阱超晶格材料。MOCVD两方面兼而有之。
CAS号：
性质：在特定晶向[(100)或(100)偏向最近<110>2 ～5 的晶面]砷化镓衬底上外延生长的单晶薄层材料外延工艺有LPE、VPE、MOCVD、MBE、CBE、ALE等工业选择取决于器件结构等因素，一般LPE、VPE多用于商品化器件，如光探测器、霍尔器件等。MBE、CBE、ALE多用于最子阱超晶格材料。MOCVD两方面兼而有之。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条