2) half-metallic
半金属
1.
Effects of disorder of atoms on half-metallic character for NiMnSb compound;
NiMnSb化合物的原子无序对半金属性的影响
2.
Critical Exponential Character of Half-metallic NiMnSb Materials;
NiMnSb半金属材料的临界指数及临界特征
3.
A study of half-metallic ferromagnetism in Mn-doped AlN semiconductor;
Mn掺杂AlN半导体的半金属铁磁性质
3) Semimetal
['semi'metl]
半金属
1.
Development of Non-Asbestos Semimetal Brake Linings;
无石棉半金属制动片的研制及应用
2.
Development of Semimetallic Brake Linings Used for Truck STEYR91;
STEYR91汽车无石棉半金属制动衬片的研制
4) Metallic radii
金属半径
1.
An excellent correlationship between the predicted values and the measured values is obtained, and the missing values in valence radii, metallic radii and Van der Waals radii scales are also predicted by the method reasonably.
采用原子的第一电离能与原子的核外电子分布作为输入参数，使用已知的半径值作为训练样本，对小波神经网络进行了训练并成功地预报了８６种元素的原子半径，较完整地补充了共价半径、金属半径与范德华半径标度方法中所缺的相应值。
5) semi metal
半金属
1.
Based on a semi metallic automotive friction material, the formation of oxide film on the function surface and its influence on friction and wear properties were studied when fixed with different copper fiber.
以一种半金属汽车刹车材料为研究对象，分析了按不同比例配入铜纤维后材料摩擦表面氧化膜的生成及其对摩擦磨损性能的影响。
6) half metal
半金属
1.
Fe_3O_4 is considered to be half metal nature and has a comparatively high Curie temperature of 858 K compared with other metal oxides,which makes it more attractive in spin-electronic application.
Fe3O4是一种半金属材料,在金属磁性氧化物当中有着较高的居里温度(858 K),因此在自旋电子应用当中有广阔的前景。
2.
In the half metal oxide compound polycrystal, cold-press in powder and other material, the resistance will drop rapidly and dramatically under the applied magnetic field, this with intrinsic properties of material is inseparable, but its crystal boundary played similarly the very important role, the extrinsic magnetorresistance effect is closely related to the tr.
半金属氧化物由于重要的理论价值和广泛的应用前景而倍受关注。
补充资料：N沟道金属-氧化物-半导体集成电路
以 N沟道 MOS场效应晶体管为基本元件的集成电路，简称NMOS。NMOS电路于1972年才研制成功。NMOS电路发展的主要困难，是在普通的工艺条件下NMOS电路所用的衬底材料P型硅表面容易自然反型或接近反型,因而难以制成作为开关元件的增强型MOS晶体管,而且元件之间也不易隔离。NMOS电路工艺比PMOS电路（见P沟道金属-氧化物-半导体集成电路工艺复杂。一般情况下,NMOS电路采用性能良好的硅栅结构(见图)。衬底是轻掺杂的P型硅,栅的材料为多晶硅。一条多晶硅栅及其左右两个N型扩散区连同衬底组成一个N沟道 MOS晶体管。硅栅MOS结构中,铝线扩散线和多晶硅线均能作为内部联线，所以有三层布线。铝线同多晶硅线，铝线同扩散线可以交叉（如图左右两侧）。
NMOS工艺的特点是：①用硅栅结构实现栅同源、漏边界的自对准，以减小寄生电容；②用局部氧化方法使场区氧化层的底边下沉，既能保证为提高场阈电压所需的场氧化层的足够厚度，又能降低片子表面台阶的高度，防止铝层断裂；③用离子注入掺杂工艺可提高硅表面杂质浓度,精确控制MOS晶体管和寄生场晶体管的阈值电压。
硅栅NMOS电路也具有自隔离的特点。工作时,P型衬底连接最低电位，使所有PN结处于反偏或零偏。由于电子迁移率比空穴迁移率约大三倍，NMOS电路比PMOS电路速度快。NMOS电路为正电源供电，且N沟道MOS晶体管阈值电压较低，所以NMOS电路可与TTL电路（见晶体管-晶体管逻辑电路共同采用+5伏电源。相互间的输入、输出开关阈值可以彼此兼容，而不像PMOS电路需要特殊的接口电路。NMOS技术发展很快，其大规模集成电路的代表性产品是各种高速、低功耗、大容量的存储器和微处理器。
参考书目
Arthur B.Glaser, Gerald E.Subak－Sharpe,Integrated Circuit
Engineering Design,Fabrication and Applications，1st ed., Addison Wesley Pub.Co.,Reading, Massachusetts,1977.
NMOS工艺的特点是：①用硅栅结构实现栅同源、漏边界的自对准，以减小寄生电容；②用局部氧化方法使场区氧化层的底边下沉，既能保证为提高场阈电压所需的场氧化层的足够厚度，又能降低片子表面台阶的高度，防止铝层断裂；③用离子注入掺杂工艺可提高硅表面杂质浓度,精确控制MOS晶体管和寄生场晶体管的阈值电压。
硅栅NMOS电路也具有自隔离的特点。工作时,P型衬底连接最低电位，使所有PN结处于反偏或零偏。由于电子迁移率比空穴迁移率约大三倍，NMOS电路比PMOS电路速度快。NMOS电路为正电源供电，且N沟道MOS晶体管阈值电压较低，所以NMOS电路可与TTL电路（见晶体管-晶体管逻辑电路共同采用+5伏电源。相互间的输入、输出开关阈值可以彼此兼容，而不像PMOS电路需要特殊的接口电路。NMOS技术发展很快，其大规模集成电路的代表性产品是各种高速、低功耗、大容量的存储器和微处理器。
参考书目
Arthur B.Glaser, Gerald E.Subak－Sharpe,Integrated Circuit
Engineering Design,Fabrication and Applications，1st ed., Addison Wesley Pub.Co.,Reading, Massachusetts,1977.
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条