1) n degree nonlinearity
n次非线性
1.
The solitary wave solutions for six important nonlinear evolution equations with n degree nonlinearity are obtained by the homogeneous balance principle and sub-ODE method (mean by subsidiary ordinary differential equation method).
用齐次平衡原则和辅助微分方程方法得到了6个重要的n次非线性演化方程的孤立波解。
2) quintic nonlinearity
五次非线性
1.
The effect of quintic nonlinearity on evolution of the chirp of the Gause pulse;
五次非线性效应对高斯脉冲啁啾演变的影响
2.
The effect of quintic nonlinearity on evolution of the chirp of the Gaussian pulse and soliton;
五次非线性效应对高斯脉冲和孤子啁啾演变影响的研究
3.
In this paper, the effect of quintic nonlinearity on modulational instability in the anomalous dispersion regime of self focusing fiber from extended nonlinear Schrodinger equation is considered.
从带五次非线性项的扩展非线性薛定谔方程出发 ,重点考虑了五次非线性对常用的自聚焦光纤中反常色散区调制不稳定性的影响。
3) linear-nonquadratic
线性-非二次
1.
A method for solving the linear-nonquadratic optimal control problem
线性-非二次最优控制问题的一种解法
2.
This paper gives a method to obtain the near-optimal controls of the so-called linear-nonquadratic optimal control problem.
对所谓的线性-非二次最优控制问题给出了一种求其near-optimal控制的方法。
4) linear inhomogeneous
线性非齐次
1.
This paper deals with the formula of particular solution to 2-order linear inhomogeneous differential equation with constant coefficients.
本文给出了一个二阶常系数线性非齐次微分方程的特解公式。
6) order n non-homogeneous linear differential equation with constant coefficients
n阶常系数非齐次线性微分方程
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条