1) P-HEMT and HEMT functional materials
高电子迁移率超高速微结构功能材料
2) PHEMT
赝配结构高电子迁移率晶体管
1.
PHEMT material and device;
概述了微波毫米波赝配结构高电子迁移率晶体管材料的结构特性,研究了该材料的分子束外延生长工艺,并且报道了用这种材料研制的赝配结构高电子迁移率晶体管的器件研制结果。
3) MHEMT
改变结构高电子迁移率晶体管
1.
Fabrication and performance of GaAs based InAlAs/InGaAs Metamorphic High Electron Mobility Transistor (MHEMT) were reported.
报道了用 MBE技术生长的 Ga As基 In Al As/In Ga As改变结构高电子迁移率晶体管 (MHEMT)的制作过程和器件的直流性能。
4) HEMT
高电子迁移率管
6) electricity functional polymeric materials
电功能高分子材料
补充资料：高电子迁移率晶体管（highmobilitytransistor）
高电子迁移率晶体管（highmobilitytransistor）
利用异质结或调制掺杂结构中二维电子气高迁移率特性的场效应晶体管。其低温、低电场下的电子迁移率比通常高质量的体半导体的场效应晶体管高1000倍，可实现高速低噪音工作。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条