1) cubic silicon nitride
立方氮化硅
1.
The study progress of static high-pressure and dynamic high pressure synthesis of cubic silicon nitride powders is outlined in this paper.
立方氮化硅作为氮化硅的第三种物相,具有比α-Si3N4、β-Si3N4高的体积模量及硬度,是继金刚石与立方氮化硼之后的第三种超硬材料。
2.
The achievement and related concern of the cubic silicon nitride have been reviewed in this paper,including the progress in artificial synthesis,the study on its physical property,the synthesis of other Ⅳ(A) group denser nitrides(Ge3N4,Sn3N4,C3N4),an.
立方氮化硅是高温高压研究近期合成得到的一种新物相,与已经在工业上普遍使用的氮化硅的两种六方物相(α相和β相)相比,新物相的密度增加了26%,预期是一种新型功能材料。
3.
Experiments using a planar metal disc flyer driven by explosives and a cylindrical chamber was designed to synthesize cubic silicon nitride with the mixtures ofα-Si3N4 and copper powders as starting materials.
本实验的研究结果建立了一种冲击压缩技术可单次合成克量级的立方氮化硅,为进一步开展立方氮化硅的性能研究奠定了基础。
2) cubic silicon nitride powder
立方氮化硅粉体
3) CBN
立方氮化硼
1.
Enhancing bonding strength between CBN grits and plating layer with surface activation technique;
用表面活化处理法提高立方氮化硼与镀层的结合性能
2.
Effect of assembly mode on CBN synthesis;
组装方式对立方氮化硼合成的影响
3.
Influencing factors of cBN single crystal synthesis;
影响立方氮化硼单晶合成效果的工艺探讨
4) cubic boron nitride
立方氮化硼
1.
Current Status of Research on Synthesizing Cubic Boron Nitride at Lower Pressure;
立方氮化硼低压合成研究现状
2.
Phase transformation in process of deposition of cubic boron nitride thin films;
立方氮化硼薄膜沉积过程的相变研究
3.
Preparation of cubic boron nitride films by radio frequency sputtering;
用射频溅射法制备立方氮化硼薄膜
5) cubic aluminum nitride
立方氮化铝
6) c-BN
立方氮化硼
1.
Influence of Substrate Temperature on Preparation of c-BN Thin Films with Wide Energy Gap;
衬底温度对宽带隙立方氮化硼薄膜制备的影响
2.
Cubic boron nitride (c-BN) nanocrystals have been synthesized by high-energy pulsed laser induced liquid-solid interfacial reaction.
通过高能脉冲激光诱导丙酮 六方氮化硼界面反应制备出了立方氮化硼纳米晶体,透射电子显微镜分析表明制备的立方氮化硼(c BN)纳米晶体为直径约30～80nm的类球状晶体。
3.
A three-step technique has been developed to grow high quality cubic boron nitride(c-BN)fims by RF magnetron sputtering on p-tyoe Si(111)substrate.
用常规射频(RF)溅射系统,采用三步法在p型Si(111)上高重复率地制备出高品质的立方氮化硼(c-BN)薄膜。
补充资料：氮化硅晶须补强氮化硅陶瓷复合材料
分子式：
CAS号：
性质：以氮化硅陶瓷为基体，以氮化硅晶须为增强体的复合材料。它具有高强度、高硬度、耐高温、抗蠕变、抗氧化、抗化学腐蚀、抗热冲击、耐磨等优良性能，是一种重要的高温结构陶瓷。使用温度可达1300℃，可用在陶瓷刀具、拔丝模、轴承、涡轮转子、耐热坩埚等方面。采用粉末冶金复合法制备。这一复合材料的界面难以控制，一般氮化硅晶须要通过涂层，才能保持在烧结过程中的稳定性。
CAS号：
性质：以氮化硅陶瓷为基体，以氮化硅晶须为增强体的复合材料。它具有高强度、高硬度、耐高温、抗蠕变、抗氧化、抗化学腐蚀、抗热冲击、耐磨等优良性能，是一种重要的高温结构陶瓷。使用温度可达1300℃，可用在陶瓷刀具、拔丝模、轴承、涡轮转子、耐热坩埚等方面。采用粉末冶金复合法制备。这一复合材料的界面难以控制，一般氮化硅晶须要通过涂层，才能保持在烧结过程中的稳定性。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条