1) harmonic waves/piece-wise nonlinear representation
谐波/分段非线性表示
2) piecewise linear representation
分段线性表示
1.
Adaptive piecewise linear representation of time series based on error restricted;
时间序列的自适应误差约束分段线性表示
2.
Drawing on the idea of edge operator to extract time series edge points,propose a novel piecewise linear representation algorithm that based on temporal edge operator.
时间序列的分段线性表示算法通常基于单一的启发式规则,难以适用于不同数据特征的时间序列。
3.
The algorithm adopts the piecewise linear representation and improved series pattern distance measure.
该算法采用分段线性表示,同时使用改进的模式距离来度量序列间的距离。
3) Nonlinear harmonic generation
非线性谐波
1.
Nonlinear harmonic generation in Shanghai deep ultraviolet FEL;
上海深紫外自由电子激光的非线性谐波辐射研究(英文)
4) nonlinear harmonic method
非线性谐波法
1.
Further verification of nonlinear harmonic method;
非线性谐波法的进一步校验分析
6) frequency coupled harmonics
非线性耦合谐波
1.
In this paper,the harmonic retrieval and frequency coupled harmonics are studied under the condition that the complex noise include multiplicative and additive noise are correlative.
本文主要在乘性噪声之间相关、乘性和加性噪声之间也相关的复杂噪声背景下 ,研究谐波恢复及非线性耦合谐波分析 ,提出噪声互可混的概念 ,推广了有关非线性耦合谐波分析的结论 ,用特殊定义的六阶时间平均矩谱切片成功地解决了复杂噪声背景下的谐波恢复问题 。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条