1) non-linear band ratio
非线性波段比
2) harmonic waves/piece-wise nonlinear representation
谐波/分段非线性表示
3) nonlinear proportion-diffenrentional filtering
非线性比例微分滤波
4) nonlinear waves
非线性波
1.
Starting with properties of cubic parabola, it is demonstrated elementarily that solving elliptic equations using Jacobian elliptic functions, analytic solutions for a class of nonlinear wave equations and properties of nonlinear waves can be obtained, especially for solitary waves.
从立方抛物线的特性谈起 ,用较初浅的方法 ,借助于雅可比椭圆函数求椭圆方程的解 ,说明一类非线性波方程可用行波法求解析解 。
5) non-linear wave
非线性波
1.
In this study, numerical analyses for solving the generalized Biot s dynamic consolidation equations by virtue of finite element method are performed on dynamic response of sandy seabed subjected to non-linear wave loading in the shallow water region.
以广义Biot动力固结理论为基础,运用一阶椭圆余弦波和二阶Stokes波等非线性波浪理论考虑浅水区波浪荷载的非线性效应,在时域上采用有限元方法对非线性波浪力作用下饱和砂质海床的动力响应进行了数值求解,并与线性波浪作用下海床动力响应特性进行了对比分析。
2.
Based on the generalized formulation of two-dimensional Biot s theory, a finite element numerical method in time domain is developed to evaluate the dynamic response of saturated elastic seabed subject to linear or non-linear wave loadings.
基于二维广义Biot理论 ,提出了线性或非线性波浪作用下饱和弹性海床动力反应的时域有限元数值解法。
3.
At present, the calculations of wave forces on marine structures are confined to the linear and low-order non-linear wave theories, sometimes these are not satisfied with the requirements.
当前,海洋结构物波浪荷载的计算大多限于线性波理论以及低阶的非线性波理论,有时是不能满足工程精度需要的。
6) nonlinear wave
非线性波
1.
Chebyshev generalized finite spectral method for linear and nonlinear waves;
线性与非线性波的Chebyshev广义有限谱模拟
2.
A nonlinear wave equation and exact periodic solutions in circular-rod waveguide;
圆杆波导中的一个非线性波动方程及准确周期解
3.
A new pursuit mode of nonlinear wave surface;
非线性波浪波面追踪的一种新模式
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条