1)  Zn~(2+) doping
Zn~（2+）掺杂
2)  zinc
Zn
1.
Effects of cadmium and zinc pollution on the nutritional quality of non-heading Chinese cabbage;
Cd、Zn污染对小白菜营养品质的影响
2.
Toxication effectof cadmium and zinc pollution on Zea mays;
Cd、Zn污染对玉米的毒害效应
3.
Direct Determination of Copper, Zinc and Manganese in Food Samples by Slurry Sampling Graphite Furnace Atomic Absorption Spectrometry;
悬浮体制样石墨炉原子吸收光谱法直接测定食品中的Cu、Zn、Mn
3)  Zn(Ⅱ)
Zn（Ⅱ）
1.
Competition Binding Equilibrium Study between Mn(Ⅱ), Zn(Ⅱ) and HSA or BSA Analysis on Fluorescence and Resonance Scattering Spectra of Silver Nanoparticles and HSA or BSA;
Mn（Ⅱ）和Zn（Ⅱ）与血清白蛋白的竞争结合平衡研究及银纳米粒子与血清白蛋白作用的荧光及共振散射光谱研究
4)  Zn Ⅱ
Zn~Ⅱ
5)  Zn ++
Zn++
6)  Zn
Zn
1.
Effects of compost and red mud addition on bioavailability of Cd and Zn in soil;
添加堆肥和赤泥对土壤生物有效性Cd和Zn的影响
2.
Cd, Zn and Se content of the polished rice samples from some Chinese open markets and their relevance to food safety;
中国部分市售大米中Cd、Zn、Se的含量及其食物安全评价
3.
BIOACCUMULATION AND TOXICITY OF Cu AND Zn IN HYDRILLA VERTICILLATA(LINN.F.) ROYLE;
Cu、Zn在黑藻叶片中的富集及其毒理学分析
参考词条
补充资料：半导体材料掺杂


半导体材料掺杂
doping for semiconductor material

bondootl Col}{00 ehonzo半导体材料掺杂(doping for semiconduCtormaterial)对材料掺入特定的杂质以取得预期的物理性能与参数的半导体材料制备方法，在大多数情况下，是使用掺杂后的半导体材料进行器件制备。掺杂的具体目的有:(l)获得预期的导电类型，如p型掺杂或n型(见半导体材料导电机理)掺杂;(2)获得预期的电阻率、载流子浓度(见半导体材料导电机理)，如重掺单晶(见简并半导体)、半绝缘砷化稼的制备;(3)获得低的少子寿命(见半导体材料导电机理)，如锗中掺金;(4)获得晶体的良好力学性能，如硅中掺氮;(5)提高发光效率，改变发光波长，如磷化稼中掺氮、掺氧(见发光用半导体材料);(6)形成低维材料及超晶格(见半导体超晶格);(7)调整晶格匹配，如硅中掺锡。 对掺杂的要求主要是:精度、均匀性、分布空间。掺杂的方法有熔体掺杂、气相掺杂、中子擅变掺杂、离子注入掺杂、表面涂覆掺杂(见区熔硅单晶)。掺杂是在半导体材料制备过程的某一个或几个工序中进行，大多数是在单晶拉制过程中进行掺杂，薄膜材料则在薄膜制备过程中进行掺杂，而中子擅变掺杂、离子注入掺杂则离开晶体制备而成为独立的工序。 (万群)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。