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1)  non linear order
非线性秩序
2)  non-order
非秩序
3)  Order [英]['ɔ:də(r)]  [美]['ɔrdɚ]
秩序性
4)  rationalorder
理性秩序
1.
In additionto this,the authorsattemptto fall together the rationalorderand romanticartisticconceptionindesignof campus environment.
结合焦作工学院新校区的规划设计,对现代高校环境景观与文化内涵的本质与特点进行了探索,变单纯的景观绿化为融理性秩序与浪漫意境于一体的校园景观环境设计。
5)  orderliness [英]['ɔ:dəlinis]  [美]['ɔrdɚlɪnɪs]
秩序性
1.
The inner holy orderliness realizes characteristics of the Taoism Stamps s limited volumn to infinity.
道教法印艺术既承载着秘符灵图的呼吸生息,又重合了中国古代"天圆地方"的神圣宇宙模式,这种内在的神圣秩序性实现了道教法印从"有限容器"到"无限"的表证。
2.
The orderliness and integrity of her stable emotions are the remarkable features of her composing.
诗人情感恒定的秩序性和完整性,是其创作的一大显著特征。
6)  gender order
性别秩序
1.
Pedro Almodovar s cinema is a reflection of the social transition taken place in Spain since 1970s, and the present study focuses particularly on the transition that highlights the subversion of the traditional patriarchal gender order.
佩德罗·阿尔莫多瓦的电影从侧面反映了西班牙自二十世纪七十年代以来的社会变迁,本文透过男性研究和性别研究的视角聚焦于阿尔莫多瓦对父权性别秩序和性别身份的颠覆,探讨了《捆着我,绑着我!》、《欲望法则》、《关于我母亲的一切》、《对她说》和《回归》五部作品中的不同性向的男性角色、女性角色和变性人。
补充资料:半导体非线性光学材料


半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials

载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场,从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温,导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外,极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段,可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中,载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应,使载流子能态分布量子化,并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍,因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外,外加电场很容易引起量子能态的显著变化,从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体,如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高,与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比,其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点,以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件,如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体,吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体,禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体,吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况,将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术,能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求,适合制作异质界面清晰的外延材料。
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参考词条