1) inversion of 2-D density interface
二维界面反演
2) interface inversion
界面反演
1.
In addition,a satisfying result is acqtuired by theapplication of BP network to multi-layer densitV interface inversion.
此外，通过修改网络单元的激发函数，增强网络的稳定性和内插功能，使ＢＰ网络在多层密度界面反演中得到满意的结果，模型和实例计算证明了该方法的有效性。
3) Two-dimensional inversion
二维反演
1.
However,two-dimensional inversion of EH-4 data has a problem.
然而,进行资料的二维反演时,遇到了在大地电磁测深中同样的问题:TE极化模式和TM极化模式不容易辨别。
2.
Considering the influence of the topography, the authors analyzed in detail the geoelectric section model and made CSAMT two-dimensional inversion for the direct calculation data of the model.
复杂地形严重地影响可控源音频大地电磁测深(CSAMT)的解释结果,为此,笔者考虑了地形的影响,将地电断面模型经过精细剖分,对模型正演计算的数据进行CSAMT二维反演,得出的结果与正演模型的形态基本一致,获得的电性断面能很好地反映地下地质结构,与实际地质资料相吻合,证实了该方法的正确性和有效性。
3.
: In order to enhance the capacity of data inversion in the electrical method and to find out a better inversion method, we have introduced and developed the Box-Kanemasu method successfully in this paper in addition to studying the application of the modified damping least-square method in a two-dimensional inversion.
为了提高电法勘探数据解释的能力，寻找较好的二维反演方法，本文在研究改进的阻尼最小二乘法在二维反演中应用的同时，成功地引进和发展了Box-Kanemasu反演法。
4) 2 D inversion
二维反演
1.
The 2 D inversion is the best method in the interpretation of DC resistivity sounding profiles data owing to its high speed, but the 3 D inversion, by contrast, needs more measured data and more computer time.
直流电阻率测深剖面数据解释最好的方法是二维反演 ,这是由于它反演速度快 ,而三维反演则需要很多的实测数据、很长的计算时间 。
5) 2D inversion
二维反演
1.
After 3D forward modeling and 2D inversion,we realized the relationship between the inversion data and the real object,then we inversed the field data and given a reasonable conclusion.
在完成三维正演与二维反演数值模拟的基础上进行了野外数据的反演解释工作,利用三维局部异常体的正演响应特征及二维反演结构与真实模型的对应关系,对实际的数据进行了认识解释,得到了目的层的异常体可能是地道而不是木箱的初步结论。
2.
At present,the researches on 2D inversion of IP data mainly aim at the HD(high density) IP data,which is mainly due to the equivalent distances between neighboring poles during data collection.
目前,激电数据的二维反演主要针对高密度激电数据,而对于常规的激电测深则很少涉及。
3.
The 2D inversion cross-sections show that the eastern and western boundaries of the Songliao basin are steeper while the southern boundary is gentler and that low-resistivity objects are commonly present at 15-30 km depth in volcanic areas, which offers a basis for int.
采用具有国际先进水平的二维连续自动反演技术对收集的MT资料进行了二维反演和综合解释。
6) two dimensional inversion
二维反演
1.
From the approximate reduction to the inverse objective function of two dimensional layer model, the two dimensional inversion along the total profile was reduced to the one dimensional inversion of each site along the profile, and a simple easy scheme of the parametric inversion for tw.
本文在大地电磁测深松弛（ｒａｐｉｄ）反演理论方法的基础上，探讨了电偶源频率电磁测深（赤道装置）阻抗视电阻率的二维反演问题。
补充资料：一维和二维固体
某些固体材料具有很强的各向异性，表现出明显的一维或二维特征，统称为低维固体。其中包括：具有链状结构(例如聚合物TaS3、TTF-TCNQ等)或层状结构（例如石墨夹层、NbS2等）的三维固体;表面或界面层(例如半导体表面的反型层);表面上的吸附层（例如液氦表面上吸附的单电子层,石墨表面上吸附的惰性气体层）;薄膜和金属细丝等。按其物理性质这些材料可分为低维导体(例如一维导体TTF-TCNQ，二维导体AsF5的石墨夹层)，低维半导体（例如一维的聚乙炔），低维超导体（例如一维的BEDT-TTF、二维的碱金属石墨夹层），低维磁体（例如一维的CsNiF3、二维的CoCl2石墨夹层）等。
当然,由于在链之间或层之间仍存在着一些耦合,这些体系是准一维或准二维的。
近年来低维固体的研究取得了较快的发展，一个原因是许多有应用前景的新材料（例如聚合物、石墨夹层化合物、MOS电路等）具有一、二维的结构,另一个原因是一、二维体系具有三维体系所没有的一些物理特性。
一维导体对于电子-点阵相互作用是不稳定的，在低温下要变为半导体或绝缘体，这称为佩尔斯相变。由此还会形成一种新的元激发──孤子。在相变前能带半满的情形，带电孤子没有自旋，中性孤子有自旋。理论上还预言，在某些情况下孤子的电荷可以是电子电荷的分数倍。
二维电荷系统（半导体表面的反型层或异质结）处于强外磁场中时，随着磁场的变化，霍耳电阻阶跃地变化:n是整数(1980年发现)或有理分数(1982年发现),h是普朗克常数，RH是霍耳系数，e是电子电荷。这称为量子化霍耳效应，其物理原因还正在研究中。三维体系的霍耳电阻随磁场连续变化。
对于短程相互作用的二维体系,在热力学极限下,温度高于绝对零度时不存在长程序，从而也没有与该长程序相对应的相变（例如铁磁-顺磁相变、正常态-超导态相变等）。但是,某些二维体系可发生另一种相变,是由涡旋状的元激发（例如液氦薄膜中的涡旋流线，二维点阵中的位错等）引起的，在低温下正负涡旋相互吸引而形成束缚对，当温度超过某临界温度后，束缚对被热运动所拆散而出现独立运动的涡旋，与此对应的相变过程称为科斯特利兹－索利斯(Kosterlitz－Thouless)相变，简称K-T相变。
1979年在液氦表面所吸附的单电子层中，观察到低密度电子气所形成的六角形电子点阵，证实了E.P.维格纳在30年代的理论预言，它是目前最理想的二维固体。
二维等离子体和三维的也很不一样。对于长波的振荡频率，前者趋向于零,后者趋向于（这里n是电荷密度,m是粒子质量）；对于屏蔽后的电势，前者是四极矩势，后者是指数衰减。
当然,由于在链之间或层之间仍存在着一些耦合,这些体系是准一维或准二维的。
近年来低维固体的研究取得了较快的发展，一个原因是许多有应用前景的新材料（例如聚合物、石墨夹层化合物、MOS电路等）具有一、二维的结构,另一个原因是一、二维体系具有三维体系所没有的一些物理特性。
一维导体对于电子-点阵相互作用是不稳定的，在低温下要变为半导体或绝缘体，这称为佩尔斯相变。由此还会形成一种新的元激发──孤子。在相变前能带半满的情形，带电孤子没有自旋，中性孤子有自旋。理论上还预言，在某些情况下孤子的电荷可以是电子电荷的分数倍。
二维电荷系统（半导体表面的反型层或异质结）处于强外磁场中时，随着磁场的变化，霍耳电阻阶跃地变化:n是整数(1980年发现)或有理分数(1982年发现),h是普朗克常数，RH是霍耳系数，e是电子电荷。这称为量子化霍耳效应，其物理原因还正在研究中。三维体系的霍耳电阻随磁场连续变化。
对于短程相互作用的二维体系,在热力学极限下,温度高于绝对零度时不存在长程序，从而也没有与该长程序相对应的相变（例如铁磁-顺磁相变、正常态-超导态相变等）。但是,某些二维体系可发生另一种相变,是由涡旋状的元激发（例如液氦薄膜中的涡旋流线，二维点阵中的位错等）引起的，在低温下正负涡旋相互吸引而形成束缚对，当温度超过某临界温度后，束缚对被热运动所拆散而出现独立运动的涡旋，与此对应的相变过程称为科斯特利兹－索利斯(Kosterlitz－Thouless)相变，简称K-T相变。
1979年在液氦表面所吸附的单电子层中，观察到低密度电子气所形成的六角形电子点阵，证实了E.P.维格纳在30年代的理论预言，它是目前最理想的二维固体。
二维等离子体和三维的也很不一样。对于长波的振荡频率，前者趋向于零,后者趋向于（这里n是电荷密度,m是粒子质量）；对于屏蔽后的电势，前者是四极矩势，后者是指数衰减。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条