1) 2-D and 3-D inversion
二维和准三维反演
1.
2-D and 3-D inversion methods are employed to determine the distribution of the resistivity, and the location and side of the mined cavity can be explained through the underground resistivity distribution.
使用高密度电法对塔基附近的地质结构进行了探测,应用二维和准三维反演方法确定了地下电阻率分布形态,以此为基础推断解释了塔基附近煤矿采空区的位置和形态,并对塔基的加固处理提出了建议。
3) 3D inversion
三维反演
1.
This paper studies how the Lagrange factor λ and CG iterative times influence the results of 3D inversion.
利用共轭梯度方法的电阻率三维反演是近几年才发展起来的 ,尚有诸多问题有待探讨。
2.
As a result, the problems stand out clearly to the practical inversion, especially to 3D inversion of magnetic data with marquart algorithms.
在磁法三维反演中,反演对象数目往往巨大,受限于当今的计算机技术与计算方法,在超大规模方程组的求解时遇到极大的困难。
3.
The importance of including the on-diagonal impedance tensor terms in 3D inversion is considered in the synthetic example.
通过理论模型算例分析了三维反演中使用张量阻抗对角元素的重要性。
4) 3-D inversion
三维反演
1.
Focused on the existing difficulties and problems in 3-D inversion for physical properties,the paper brings forward stochastic subspace methodology for 3-D inversion for physical properties.
模型和实例计算表明了方法技术的效果,为大面积重磁数据的三维反演提供了有效的途径。
2.
Reflection seismic waves are recorded through a special three dimensional observation system designed at the northeast edge of the Qinghai-Tibet Plateau and the Moho geometry in the investigation region is reconstructed by a 3-D inversion method.
通过在青藏高原东北缘设计专门的三维地震观测系统而获得的莫霍界面反射波 ,利用三维反演方法反演重建了该区莫霍 (M)界面的构造形态 ,得到了研究区M界面的三维构造图像和地壳深断裂的展布 。
5) Two-dimensional inversion
二维反演
1.
However,two-dimensional inversion of EH-4 data has a problem.
然而,进行资料的二维反演时,遇到了在大地电磁测深中同样的问题:TE极化模式和TM极化模式不容易辨别。
2.
Considering the influence of the topography, the authors analyzed in detail the geoelectric section model and made CSAMT two-dimensional inversion for the direct calculation data of the model.
复杂地形严重地影响可控源音频大地电磁测深(CSAMT)的解释结果,为此,笔者考虑了地形的影响,将地电断面模型经过精细剖分,对模型正演计算的数据进行CSAMT二维反演,得出的结果与正演模型的形态基本一致,获得的电性断面能很好地反映地下地质结构,与实际地质资料相吻合,证实了该方法的正确性和有效性。
3.
: In order to enhance the capacity of data inversion in the electrical method and to find out a better inversion method, we have introduced and developed the Box-Kanemasu method successfully in this paper in addition to studying the application of the modified damping least-square method in a two-dimensional inversion.
为了提高电法勘探数据解释的能力，寻找较好的二维反演方法，本文在研究改进的阻尼最小二乘法在二维反演中应用的同时，成功地引进和发展了Box-Kanemasu反演法。
6) 2 D inversion
二维反演
1.
The 2 D inversion is the best method in the interpretation of DC resistivity sounding profiles data owing to its high speed, but the 3 D inversion, by contrast, needs more measured data and more computer time.
直流电阻率测深剖面数据解释最好的方法是二维反演 ,这是由于它反演速度快 ,而三维反演则需要很多的实测数据、很长的计算时间 。
补充资料：一维和二维固体
某些固体材料具有很强的各向异性，表现出明显的一维或二维特征，统称为低维固体。其中包括：具有链状结构(例如聚合物TaS3、TTF-TCNQ等)或层状结构（例如石墨夹层、NbS2等）的三维固体;表面或界面层(例如半导体表面的反型层);表面上的吸附层（例如液氦表面上吸附的单电子层,石墨表面上吸附的惰性气体层）;薄膜和金属细丝等。按其物理性质这些材料可分为低维导体(例如一维导体TTF-TCNQ，二维导体AsF5的石墨夹层)，低维半导体（例如一维的聚乙炔），低维超导体（例如一维的BEDT-TTF、二维的碱金属石墨夹层），低维磁体（例如一维的CsNiF3、二维的CoCl2石墨夹层）等。
当然,由于在链之间或层之间仍存在着一些耦合,这些体系是准一维或准二维的。
近年来低维固体的研究取得了较快的发展，一个原因是许多有应用前景的新材料（例如聚合物、石墨夹层化合物、MOS电路等）具有一、二维的结构,另一个原因是一、二维体系具有三维体系所没有的一些物理特性。
一维导体对于电子-点阵相互作用是不稳定的，在低温下要变为半导体或绝缘体，这称为佩尔斯相变。由此还会形成一种新的元激发──孤子。在相变前能带半满的情形，带电孤子没有自旋，中性孤子有自旋。理论上还预言，在某些情况下孤子的电荷可以是电子电荷的分数倍。
二维电荷系统（半导体表面的反型层或异质结）处于强外磁场中时，随着磁场的变化，霍耳电阻阶跃地变化:n是整数(1980年发现)或有理分数(1982年发现),h是普朗克常数，RH是霍耳系数，e是电子电荷。这称为量子化霍耳效应，其物理原因还正在研究中。三维体系的霍耳电阻随磁场连续变化。
对于短程相互作用的二维体系,在热力学极限下,温度高于绝对零度时不存在长程序，从而也没有与该长程序相对应的相变（例如铁磁-顺磁相变、正常态-超导态相变等）。但是,某些二维体系可发生另一种相变,是由涡旋状的元激发（例如液氦薄膜中的涡旋流线，二维点阵中的位错等）引起的，在低温下正负涡旋相互吸引而形成束缚对，当温度超过某临界温度后，束缚对被热运动所拆散而出现独立运动的涡旋，与此对应的相变过程称为科斯特利兹－索利斯(Kosterlitz－Thouless)相变，简称K-T相变。
1979年在液氦表面所吸附的单电子层中，观察到低密度电子气所形成的六角形电子点阵，证实了E.P.维格纳在30年代的理论预言，它是目前最理想的二维固体。
二维等离子体和三维的也很不一样。对于长波的振荡频率，前者趋向于零,后者趋向于（这里n是电荷密度,m是粒子质量）；对于屏蔽后的电势，前者是四极矩势，后者是指数衰减。
当然,由于在链之间或层之间仍存在着一些耦合,这些体系是准一维或准二维的。
近年来低维固体的研究取得了较快的发展，一个原因是许多有应用前景的新材料（例如聚合物、石墨夹层化合物、MOS电路等）具有一、二维的结构,另一个原因是一、二维体系具有三维体系所没有的一些物理特性。
一维导体对于电子-点阵相互作用是不稳定的，在低温下要变为半导体或绝缘体，这称为佩尔斯相变。由此还会形成一种新的元激发──孤子。在相变前能带半满的情形，带电孤子没有自旋，中性孤子有自旋。理论上还预言，在某些情况下孤子的电荷可以是电子电荷的分数倍。
二维电荷系统（半导体表面的反型层或异质结）处于强外磁场中时，随着磁场的变化，霍耳电阻阶跃地变化:n是整数(1980年发现)或有理分数(1982年发现),h是普朗克常数，RH是霍耳系数，e是电子电荷。这称为量子化霍耳效应，其物理原因还正在研究中。三维体系的霍耳电阻随磁场连续变化。
对于短程相互作用的二维体系,在热力学极限下,温度高于绝对零度时不存在长程序，从而也没有与该长程序相对应的相变（例如铁磁-顺磁相变、正常态-超导态相变等）。但是,某些二维体系可发生另一种相变,是由涡旋状的元激发（例如液氦薄膜中的涡旋流线，二维点阵中的位错等）引起的，在低温下正负涡旋相互吸引而形成束缚对，当温度超过某临界温度后，束缚对被热运动所拆散而出现独立运动的涡旋，与此对应的相变过程称为科斯特利兹－索利斯(Kosterlitz－Thouless)相变，简称K-T相变。
1979年在液氦表面所吸附的单电子层中，观察到低密度电子气所形成的六角形电子点阵，证实了E.P.维格纳在30年代的理论预言，它是目前最理想的二维固体。
二维等离子体和三维的也很不一样。对于长波的振荡频率，前者趋向于零,后者趋向于（这里n是电荷密度,m是粒子质量）；对于屏蔽后的电势，前者是四极矩势，后者是指数衰减。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条