1) nonlinear spatial mode
非线性空间模态
1.
This nonlinear spatial mode accounts for 47.
这个主要非线性空间模态与东亚地区大气内部非线性相互作用密切相关,反映了夏季欧亚地区环流非线性低频波活动的时空不对称性。
2) Nonlinear state space model
非线性状态空间模型
3) non-linear state space
非线性状态空间
1.
We present a new MCMC method for non-linear state space models, which is called Embedded Hidden Markov Model (EHMM) Sampling method.
给出了一种新的非线性状态空间模型的MCMC方法———EHMM(EmbeddedHiddenMarkovModel)抽样法,运用该方法构造的Markov链的收敛速度比传统的MCMC方法有明显提升,文中证明了这一结论并以一维非线性状态空间模型为例加以说明。
4) space non-linear
空间非线性
1.
This article introduced the space non-linear finite element analysis method,the iteration method and increases method which was often used in the analysis non-linear problem and their respective shortcomings were discussed.
并应用此混合方法,对工程结构进行了有限元计算,分析了其承载能力,减小了分析空间非线性问题的误差。
5) linearized state-space model
线性化状态空间模型
6) nonlinear normal modes
非线性模态
1.
Firstly,the nonlinear normal modes(NNM) of the structure are obtained through the empirical mode decomposition(EMD).
首先通过EMD分解得到结构的非线性模态(NNM),然后对非线性模态进行H ilbert分析,识别出结构的瞬时特征参数(瞬时振幅、瞬时固有频率等),进而由各参数间关系识别出非线性结构的类型。
2.
Someitems in study of nonlinear normal modes such as definition, construction, property and advances are reviewed first.
对非线性模态的定义、构造方法、非线性模态的特点及其研究进展进行了全面综述,指出了该领域研究中存在的一些问题和今后的主要研究方向。
3.
The construction of nonlinear normal modes of a system with 1: 2 internal resonance is presented for the case of quadric nonlinearity.
利用多尺度方法研究了一类1:2内共振平方非线性系统的非线性模态的近似解及其分叉特性。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条