1) DBD-CVD
介质阻挡放电化学气相沉积
1.
N-doped titanium dioxide films were grown by dielectric barrier discharge chemical vapor deposition(DBD-CVD) with titanium-tetraisopropoxide(TTIP) as the Ti source,NH3 and N2O as the precursor of nitrogen,respectively.
采用介质阻挡放电化学气相沉积(DBD-CVD)法,以四异丙醇钛(TTIP)作为钛源,氨气(NH3)和笑气(N2O)分别作为氮源的气相反应先驱体,成功制备了不同掺杂量的掺氮二氧化钛(TiO2)薄膜。
2) three-phase DBD
三相介质阻挡放电
1.
To check the effect of the multi-high-electrode dielectric barrier discharge(DBD) reactor on the production of hydrogen peroxide,this paper investigated the effect of the material,representation and gap distance of high voltage electrodes on the production of hydrogen peroxide in the wire-to-cylindrical type three-phase DBD reactor by the orthogonal experiments.
为考察多高压电极介质阻挡放电反应器对放电过程中过氧化氢浓度的影响,采用线筒式三相介质阻挡放电反应器,用正交实验研究了高压电极材料、数目以及高低压电极间距的改变对过氧化氢浓度的影响。
3) Dielectric barrier discharge photography
介质阻挡放电照相
1.
According to the dielectric barrier discharge photography, a one dimension model of dielectric barrier discharge is developed.
以介质阻挡放电照相技术为背景 ,建立了介质阻挡放电的一维模型 。
2.
In this paper, the basic principle of dielectric barrier discharge photography(DBDP) is discussed.
本文叙述了介质阻挡放电照相技术的基本原理 ,给出了自制的实验装置 ,并研究了不同曝光时间、不同放电回路电阻对照相质量的影响。
5) spraying DBD
雾化介质阻挡放电
6) dielectric barrier discharge
电介质阻挡放电
补充资料：等离子化学气相沉积
分子式：
CAS号：
性质：PCVD 化学气相沉积(CVD)法是制备无机材料，尤其是无机薄膜和涂层的一种重要手段。用等离子辅助CVD，可在较低的温度下沉积，涂层均匀不剥落。
CAS号：
性质：PCVD 化学气相沉积(CVD)法是制备无机材料，尤其是无机薄膜和涂层的一种重要手段。用等离子辅助CVD，可在较低的温度下沉积，涂层均匀不剥落。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条