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1)  non-linear regression modeling
非线性回归建模
2)  non-linear regression model
非线性回归模型
3)  nonlinear regresson simulation
非线性回归模拟
4)  nonlinear regression model
非线性回归模型
1.
Joint test in nonlinear regression models with AR(2) random errors
具有AR(2)误差非线性回归模型的联合检验
2.
After the research work of the experiments data,a suitable nonlinear regression model was selected.
 参考透皮给药的大量实验数据,选择一种非线性回归模型作为相应的数学模型,并通过这一模型中的透皮系数作为被估计的参数完成了这一工作,同时给出了对20种药物的不同渗透系数的估计· 最后的讨论中发现,这一工作进一步支持了将皮肤视作单层渗透膜的理论·
3.
The likelihood ratio test and Score test are proposed to test the autocorrelation and heteroscedasticity of the ARMA(1,1) sequence random errors in nonlinear regression models.
本文讨论了误差为ARMA(1 ,1 )序列的非线性回归模型 。
5)  Nonlinear regression
非线性回归模型
6)  Nonlinear regression models
非线性回归模型
1.
Then we extend the results of nonlinear regression models with linear random errors to those with bilinear random errors.
本文讨论了具有双线性BL(1,1,1,1)误差的非线性回归模型的相关性和方差齐性的检验问题, 用Score检验方法给出了双线性项检验、相关性检验、方差齐性检验、以及相关性和方差齐性同时检验的检验统计量。
补充资料:半导体非线性光学材料


半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials

载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场,从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温,导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外,极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段,可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中,载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应,使载流子能态分布量子化,并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍,因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外,外加电场很容易引起量子能态的显著变化,从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体,如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高,与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比,其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点,以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件,如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体,吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体,禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体,吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况,将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术,能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求,适合制作异质界面清晰的外延材料。
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参考词条