1) reactive ionized cluster beam deposition
反应离化团簇束沉积
1.
The principle and properties of reactive ionized cluster beam deposition technique(RICBD) have been introduced.
讨论了反应离化团簇束沉积 (RICBD)方法的原理和特点 ,利用改进的双气流方式和ZnO缓冲层技术在Si衬底上生长GaN薄膜 ,并用XPS、XRD和PL对样品进行了测试分析 ,证实形成了良好的GaN薄膜。
2) ionized cluster beam deposition
离化团簇束沉积
3) ionized cluster beams deposition
离化团束沉积
4) cluster-beam deposition
团簇束流沉积
5) copper cluster beam deposition
铜团簇束沉积
6) reactive ionized cluster beam (RICB)
反应离化团束(RICB)
补充资料：簇团离子
分子式：
CAS号：
性质：分子附着到正负离子上形成簇团离子(I±·Mn)。这种簇团代表了物质的一种集聚状态，是有介于气相和凝聚相之间的性质。通常簇团离子的存在是一种动态平衡：I±·Mn-1 +MI±·Mn(n-1，n)。
CAS号：
性质：分子附着到正负离子上形成簇团离子(I±·Mn)。这种簇团代表了物质的一种集聚状态，是有介于气相和凝聚相之间的性质。通常簇团离子的存在是一种动态平衡：I±·Mn-1 +MI±·Mn(n-1，n)。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条