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1)  MNOS capacitor
金属-四氮化三硅-二氧化硅-硅电容
2)  SONOS
硅/二氧化硅/氮化硅/二氧化硅/硅
3)  Si_3N_4 capacitor
氮化硅电容
1.
This paper utilizes TDDB theory to research and analyze the conductive and breakdown property of GaAs MMIC s MIM Si_3N_4 capacitor.
运用TDDB理论,研究分析了G aA s MM IC的M IM氮化硅电容的导电特性和击穿特性,设计制作了三种对比分析的G aA s MM IC的M IM氮化硅电容结构,通过不同斜率的斜坡电压对氮化硅介质进行了可靠性评价,S i3N4M IM电容的可靠性与其面积和周长密切相关,介质缺陷是导致电容失效的主要因素。
4)  metal oxide silicium
金属氧化硅
5)  disilicon trioxide
三氧化二硅
6)  Au/SiO2
金/二氧化硅
补充资料:四氢化硅

国标编号 21050
CAS号 7803-62-5
分子式 SiH4
分子量 32.12

无色气体,有恶臭;闪 点 <-50℃;熔点-185℃;沸点-112℃;溶解性:溶于苯、四氯化碳;密度:相对密度(水=1)0.68(-182℃);稳定性:不稳定;危险标记 4(易燃气体);主要用途:用作固态电器、布漆

2.对环境的影响:
一、健康危害

侵入途径:吸入。
健康危害:吸入甲硅烷蒸气后,引起头痛、头晕、发热、恶心、多汗;严重者面色苍白,脉搏微弱,陷入半昏迷状态。

二、毒理学资料及环境行为

急性毒性:LC509600ppm,4小时(大鼠吸入)
危险特性:遇明火、高热极易燃烧。暴露在空气中能自燃。与氟、氯等能发生剧烈的化学反应。
燃烧(分解)产物:氧化硅、氢气。

3.现场应急监测方法:
 

4.实验室监测方法:
气相色谱测定硅烷[刊,英]/Bogaert R.J.;Rocheleau R.E.BaronB.N.//J.Chromatogr.Sci.-1986,24(3).-109~112
通过光化学反应产生微粒并结合使用光散射方法测定空气中的硅烷[刊,英]/Tao H.;Miyazaki A.,Banso K.//Anal.Chem.-1986,58(6).-1148~1152

5.环境标准:
美国 车间卫生标准 6.6mg/m3

6.应急处理处置方法:
一、泄漏应急处理

迅速撤离泄漏污染区人员至上风处,并隔离直至气体散尽,切断火源。建议应急处理人员戴自给式呼吸器,穿一般消防防护服。切断气源,喷洒雾状水稀释,抽排(室内)或强力通风(室外)。如有可能,将残余气或漏出气用排风机送至水洗塔或与塔相连的通风橱内。漏气容器不能再用,且要经过技术处理以清除可能剩下的气体。

二、防护措施

呼吸系统防护:空气中浓度超标时,应该佩带防毒口罩。必要时佩带自给式呼吸器。
眼睛防护:一般不需要特殊防护,高浓度接触时可戴安全防护眼镜。
身体防护:穿工作服。
手防护:一般不需要特殊防护。
其它:工作现场严禁吸烟。进入罐或其它高浓度区作业,须有人监护。

三、急救措施

吸入:脱离现场至空气新鲜处。保持呼吸道通畅。必要时进行人工呼吸。就医。

灭火方法:切断气源。若不能立即切断气源,则不允许熄灭正在燃烧的气体。喷水冷却容器,可能的话将容器从火场移至空旷处。二氧化碳。

说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条