1) Nonlinear photoconductive switch
非线性光导开关
2) Nonlinear switched systems
非线性开关系统
1.
In the paper, a class of nonlinear switched systems is considered, and a sufficient condition of robust stability is given.
研究了非线性开关系统 ,给出了其鲁棒稳定性的充分条件 。
3) photoconductive switches
光导开关
1.
Applications of photoconductive switches in UWB and THz;
光导开关在UWB和THz技术中的应用
2.
Study of photoconductive switches transmission line based on D Alembert s method;
基于达朗伯行波法的光导开关传输线研究
3.
The response properties of linear mode output ultra-short electric pulse are tested using the semi-insulating GaAs photoconductive switches triggered by 1064 nm laser pulse;and the tested experimental results are analyzed theoretically.
用1064 nm激光脉冲触发半绝缘GaAs光导开关,对线性模式输出超短电脉冲响应特性进行了测试,并对所测试的实验结果进行理论分析。
4) PCSS
光导开关
1.
High-power Radiation System with PCSS Acting as the Photoconductive Switch and a Scanning-back Charging Transformer;
用回扫变压器赋能的光导开关功率辐射系统
2.
Analysis on Performance of PCSS Triggered by Femto-Second Laser Pulse by Position;
GaAs光导开关飞秒激光点触发实验及分析
3.
Ⅲ-Ⅴcompound semiconductors,such as Gallium arsenide (GaAs),Indium phosphide (InP) and their doped materials,are suitable to make high speed and high power PCSS with picosecond (ps) time response.
利用Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)及其掺杂材料制作的光导开关具有很好的时间响应及高功率输出特性。
5) photoconductive semiconductor switches
光导开关
1.
Applications of photoconductive semiconductor switches in ultra-wideband radars;
光导开关在超宽带雷达中的应用
2.
High-power photoconductive semiconductor switches (PCSS) were fabricated on 0.
0×10~8Ω·cm,研制出超快大功率SiC光导开关。
3.
A new analytical model for photoconductive semiconductor switches (PCSS) is proposed considering the surface and bulk recombinations, the carrier carrier scattering and the negative differential effect of the carrier drift velocity in their transport process, Dembet effect, optical reflection and attenuation with depth during the optical action.
建立了一个新型的光控光导半导体开关 (简称光导开关 )解析模型 ,该模型通过拉氏变换求解了连续性方程 ,考虑了载流子的表面复合和体复合效应、载流子输运过程中的载流子载流子散射效应和漂移速度的负微分效应、光作用过程的丹倍效应和光的反射、光强随深度的衰减效应。
6) photoconductive switch
光导开关
1.
The transient behavior of high—voltage photoconductive switch;
高压PS光导开关的瞬时特性
2.
The authors introduce the operation principle of the high speed photoconductive switch (ps) and its application in the microwave technique, and give its experimental results in PS.
本文介绍了超快光导开关的工作原理及其在微波中的应用,并给出了实验结果。
3.
A concept of generation of Kilovolt nanosecond pulses was experimentlly verified using a three- in- one GaAs wafer, which serves the functions of laser- cavity mirror,photoconductive switch and energy storage capacitor.
报道用一块砷化镓基片兼作激光腔镜、光导开关和储能电容，制作千伏级纳秒脉冲发生器的实验结果。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条