1) Photoconductive Semiconductor Switch(PCSS)
光导开关(PCSS)
2) Photoconductive Semiconductor Switches(PCSSs)
光导开关(PCSS s)
3) photoconductive switches
光导开关
1.
Applications of photoconductive switches in UWB and THz;
光导开关在UWB和THz技术中的应用
2.
Study of photoconductive switches transmission line based on D Alembert s method;
基于达朗伯行波法的光导开关传输线研究
3.
The response properties of linear mode output ultra-short electric pulse are tested using the semi-insulating GaAs photoconductive switches triggered by 1064 nm laser pulse;and the tested experimental results are analyzed theoretically.
用1064 nm激光脉冲触发半绝缘GaAs光导开关,对线性模式输出超短电脉冲响应特性进行了测试,并对所测试的实验结果进行理论分析。
4) PCSS
光导开关
1.
High-power Radiation System with PCSS Acting as the Photoconductive Switch and a Scanning-back Charging Transformer;
用回扫变压器赋能的光导开关功率辐射系统
2.
Analysis on Performance of PCSS Triggered by Femto-Second Laser Pulse by Position;
GaAs光导开关飞秒激光点触发实验及分析
3.
Ⅲ-Ⅴcompound semiconductors,such as Gallium arsenide (GaAs),Indium phosphide (InP) and their doped materials,are suitable to make high speed and high power PCSS with picosecond (ps) time response.
利用Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)及其掺杂材料制作的光导开关具有很好的时间响应及高功率输出特性。
5) photoconductive semiconductor switches
光导开关
1.
Applications of photoconductive semiconductor switches in ultra-wideband radars;
光导开关在超宽带雷达中的应用
2.
High-power photoconductive semiconductor switches (PCSS) were fabricated on 0.
0×10~8Ω·cm,研制出超快大功率SiC光导开关。
3.
A new analytical model for photoconductive semiconductor switches (PCSS) is proposed considering the surface and bulk recombinations, the carrier carrier scattering and the negative differential effect of the carrier drift velocity in their transport process, Dembet effect, optical reflection and attenuation with depth during the optical action.
建立了一个新型的光控光导半导体开关 (简称光导开关 )解析模型 ,该模型通过拉氏变换求解了连续性方程 ,考虑了载流子的表面复合和体复合效应、载流子输运过程中的载流子载流子散射效应和漂移速度的负微分效应、光作用过程的丹倍效应和光的反射、光强随深度的衰减效应。
6) photoconductive switch
光导开关
1.
The transient behavior of high—voltage photoconductive switch;
高压PS光导开关的瞬时特性
2.
The authors introduce the operation principle of the high speed photoconductive switch (ps) and its application in the microwave technique, and give its experimental results in PS.
本文介绍了超快光导开关的工作原理及其在微波中的应用,并给出了实验结果。
3.
A concept of generation of Kilovolt nanosecond pulses was experimentlly verified using a three- in- one GaAs wafer, which serves the functions of laser- cavity mirror,photoconductive switch and energy storage capacitor.
报道用一块砷化镓基片兼作激光腔镜、光导开关和储能电容，制作千伏级纳秒脉冲发生器的实验结果。
补充资料：高分子光导纤维
高分子光导纤维
polymer optical fibre
高分子光导纤维polymer optieal fibre包括芯材和皮材在内的制造塑料光导纤维用的高纯、超净、传光损耗低的无色透明材料。芯材为光信息的传输体;皮材为芯材的包层，保障光信息于芯材中的传输，起屏蔽作用，与芯材具有优良的粘接力，且折射率低于芯材。 高分子光导纤维具有韧性好、耐扭曲、易加工、易连接、重量轻、成本低等优点。可制成大尺寸、大孔径、光源祸合率高和可见光区有低传光损耗窗口的塑料光导纤维。缺点是传光损耗不如石英光导材料低、传输距离短、使用温度有局限性。 作为高分子光导芯材使用的原材料有:聚甲基丙烯酸甲醋及氛代聚甲基丙烯酸甲酷，以甲基丙烯酸甲酷为主体的(甲基)丙烯酸醋系或苯乙烯共聚物，聚苯乙烯及其氟代或氟代体，聚碳酸醋，聚烷基乙烯基硅烷，聚醋，聚氨醋，甲基丙烯酸丁酷与偏二氯乙烯的共聚物、聚矾等。作为高分子光导皮材使用的原材料有:聚甲基丙烯酸醋类、聚四氟乙烯，硅树脂，乙烯与醋酸乙烯的共聚物等。 高分子光导材料的芯材和皮材可选用上述有关材料的单体和分解温度不同的自由基型引发剂通过自由基聚合(均聚或共聚)或逐步聚合制得。使用高分子光导材料制造塑料光导纤维，可分别合成芯材和皮材之后纺丝成纤，亦可采用现场技术同步合成和共挤出纺丝联机工艺成纤。 造成高分子光导纤维及其后继产品塑料光导纤维传光损耗的原因有:①原材料组成所致;②加工工艺过程中的附加因素(包括污染、气泡、原材料的局部分解，直径不均匀等)。高分子光导纤维应是无定形聚合物，必须具有力学和光学上的各向同性。分子量在8一15万的聚合物熔体最适于纺丝成纤，且可达到强度要求。从分子结构的观点出发，大分子结构越是不含或少含易产生振动吸收的键及易产生电子迁移吸收的极性基团或键的材料，其透明性越是接近于石英，越适于作为高分子光导纤维使用。全氛代(D。)聚甲基丙烯酸甲酷的传光损耗最低，是最佳的高分子光导纤维芯材。折射率较低的(甲基)丙烯酸含氟酷类具有憎水、憎油的优点，可作为高分子光导纤维皮材的重要组分使用。 合成高分子光导纤维的重要物理参数有玻璃化转变温度和折射率。采用自由基共聚合技术合成高分子光导材料时，竞聚率亦是重要参数。以分子设计的思想指导合成，可预言和计算出合成材料的玻璃化转变温度。根据基团贡献的摩尔性质及其可加性，可预言和计算合成高分子光导纤维的折射率。因此，基团贡献理论对于高分子光导纤维，特别是在芯材已经确定的前提下，对于皮材的分子设计具有指导意义。 目前，高分子光导纤维主要用于医用窥镜、显示标牌、大型广告装瑛、装饰彩灯、近距离闭路光信息传输和工业自动控制系统等方面。(黄家贤)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条